1.一种高熵钙钛矿陶瓷材料，其特征在于，化学组成为(Bi 0.4-x Ln x Na 0.2 K 0.2 Ba 0.2 )TiO 3 ，其中，镧系元素Ln包括La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd中的至少一种；0.04< x ≤0.16。
2.根据权利要求1所述的高熵钙钛矿陶瓷材料，其特征在于，所述Ln为La，0.04< x ≤0.10；或所述Ln为Ce，0.06<x≤0.12；或所述Ln为Pr，0.06<x≤0.14；或所述Ln为Nd，0.06< x ≤0.16；或所述Ln为Sm，0.04< x ≤0.10；或所述Ln为Eu，0.04< x ≤0.12；或所述Ln为Gd，0.04< x ≤0.12。
3.一种权利要求1或2所述的高熵钙钛矿陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、按(Bi 0.4-x Ln x Na 0.2 K 0.2 Ba 0.2 )TiO 3 配比将Bi 2 O 3 、Na 2 CO 3 、K 2 CO 3 、BaCO 3 、TiO 2 以及Ln的氧化物混合，得到混合粉体；步骤2、将所述混合粉体进行预烧并粉碎，得到陶瓷粉体；步骤3、利用所述陶瓷粉体成型，得到陶瓷坯体；步骤4、将所述陶瓷坯体进行烧结，得到所述高熵钙钛矿陶瓷材料。
4.根据权利要求3所述的高熵钙钛矿陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，所述Ln的氧化物包括La 2 O 3 、CeO 2 、Pr 6 O 11 、Nd 2 O 3 、Sm 2 O 3 、Eu 2 O 3 和Gd 2 O 3 中的至少一种。
5.根据权利要求3或4所述的高熵钙钛矿陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2满足以下条件中的至少一项：（1）所述预烧包括：将混合粉体在800~1050℃下保温2~6h；（2）粉碎后进行二次球磨，烘干后过筛，得到陶瓷粉体。
6.根据权利要求5所述的高熵钙钛矿陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述预烧以2~5℃/min的速度升温至800~1050℃。
7.根据权利要求3所述的高熵钙钛矿陶瓷材料的制备方法，其特征在于，Ln为La，预烧温度为825~875℃，时间为3~6h；烧结温度为1100~1140℃，时间为3~6h；或Ln为Ce，预烧温度为825~900℃，时间为3~6h；烧结温度为1100~1180℃，时间为3~6h；或Ln为Pr，预烧温度为825~900℃，时间为3~6h；烧结温度为1120~1180℃，时间为3~6h；或Ln为Nd，预烧温度为825~900℃，时间为3~6h；烧结温度为1120~1180℃，时间为3~6h；或Ln为Sm，预烧温度为800~900℃，时间为3~6h；烧结温度为1090~1150℃，时间为3~6h；或Ln为Eu，预烧温度为825~900℃，时间为3~6h；烧结温度为1110~1160℃，时间为3~6h；或Ln为Gd，预烧温度为800~900℃，时间为2~6h；烧结温度为1100~1140℃，时间为3~6h。
8.根据权利要求3或4所述的高熵钙钛矿陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3包括：步骤301、将陶瓷粉体进行造粒；步骤302、将造粒后的陶瓷粉体进行成型，得到所述陶瓷坯体。
9.根据权利要求8所述的高熵钙钛矿陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3满足以下条件中的至少一项：（1）所述步骤301中，将陶瓷粉体与粘接剂混合，并利用造粒机进行造粒；所述粘接剂的添加量为陶瓷粉体质量的1~5wt%；（2）所述步骤302中，将造粒后的陶瓷粉体加入干压模具中，并在20~100MPa的条件下进行加压成型，得到所述陶瓷坯体。
10.根据权利要求8所述的高熵钙钛矿陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤302还包括将所述陶瓷坯体进行冷等静压；冷等静压的压力为150~250Mpa，时间为5~10min。
11.一种电容器，其特征在于，包括权利要求1或2所述的高熵钙钛矿陶瓷材料或根据权利要求3-8任一项所述方法制得的高熵钙钛矿陶瓷材料，且在其表面设置有银电极。
