化合物YZG-331的晶型及其制备方法

1.式(I)所示化合物YZG-331的晶型A，其特征在于，使用Cu-Kα辐射，所述晶型A的X射线粉末衍射在2θ值为17.4°±0.2°,14.1°±0.2°,8.4°±0.2°处有特征峰， 2.根据权利要求1所述的晶型A，其X射线粉末衍射在2θ值为18.2°±0.2°,12.5°±0.2°,13.1°±0.2°中的一处或两处或三处有特征峰。 3.根据权利要求1或2任一项所述的晶型A，其X射线粉末衍射在2θ值为18.2°±0.2°,12.5°±0.2°,13.1°±0.2°处有特征峰。 4.权利要求1～3中任意一项所述的晶型A的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物溶解于正溶剂甲醇、异丙醇中的至少一种，过滤后向其中逐滴加入反溶剂甲苯、环己烷，搅拌该体系，温度设置为在5℃至50℃间升降温3个循环，得到晶型A。 5.权利要求1～3中任意一项所述的晶型A的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物放置于甲基叔丁基醚和甲苯中的至少一种氛围中，固体与挥发的溶剂进行气固扩散，得到晶型A。 6.权利要求1～3中任意一项所述的晶型A的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物加至甲基叔丁基醚中，用水热反应釜密封，将反应釜静置于高温高压下条件反应后，缓慢降温至5℃析出固体，得到晶型A。 7.权利要求1～3中任意一项所述的晶型A的制备方法，其特征在于，将过量的式(I)化合物加至甲基叔丁基醚体系中，在80℃下搅拌该悬浊液体系，得到晶型A。 8.式(I)所示化合物的晶型B，其特征在于，使用Cu-Kα辐射，所述晶型B的X射线粉末衍射在2θ值为6.1°±0.2°,12.2°±0.2°,13.7°±0.2°处有特征峰， 9.根据权利要求8所述的晶型B，其X射线粉末衍射在2θ值为13.3°±0.2°,17.6°±0.2°,6.6°±0.2°中的一处或两处或三处有特征峰。 10.根据权利要求8或9任一项所述的晶型B，其X射线粉末衍射在2θ值为13.3°±0.2°,17.6°±0.2°,6.6°±0.2°处有特征峰。 11.权利要求8～10中任意一项所述的晶型B的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物加至甲基叔丁基醚中，在低温下搅拌该悬浊液体系，得到晶型B。 12.式(I)所示化合物的晶型A1，其特征在于，使用Cu-Kα辐射，所述晶型A1的X射线粉末衍射在2θ值为11.6°±0.2°,14.4°±0.2°,6.7°±0.2°处有特征峰； 13.根据权利要求12所述的晶型A1，其X射线粉末衍射在2θ值为18.5°±0.2°,20.8°±0.2°,12.8°±0.2°中的一处或两处或三处有特征峰。 14.根据权利要求12或13所述的晶型A1，其X射线粉末衍射在2θ值为18.5°±0.2°,20.8°±0.2°,12.8°±0.2°处有特征峰。 15.权利要求12～14中任意一项所述的晶型A1的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物溶解于正溶剂中，过滤后向其中逐滴加入反溶剂，得到晶型A1。 16.权利要求12～14中任意一项所述的晶型A1的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物放置于含有溶剂的密封环境中，固体与挥发的溶剂进行气固扩散，得到晶型A1。 17.权利要求12～14中任意一项所述的晶型A1的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物加至有机溶剂或混合溶剂体系中，搅拌该悬浊液体系，得到晶型A1。 18.权利要求12～14中任意一项所述的晶型A1的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物溶解于挥发性溶剂中，挥发析晶，得到晶型A1。 19.权利要求12～14中任意一项所述的晶型A1的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物溶解于有机溶剂或混合溶剂体系中，高温条件下达到溶解平衡后过滤，缓慢降温至有固体析出，得到晶型A1。 20.权利要求12～14中任意一项所述的晶型A1的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物溶于正溶剂中，然后置于含有反溶剂的密封环境中，渗透析晶，得到晶型A1。 21.权利要求12～14中任意一项所述的晶型A1的制备方法，其特征在于，将式(I)化合物加至有机溶剂中，用水热反应釜密封，将反应釜静置于高温高压条件下反应后，缓慢降温至5℃析出固体，得到晶型A1。