1.一种A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征在于，在钛酸铋钠陶瓷基体中掺杂钽酸镧，利用LaTaO 4 掺杂，使La 3+ 进入钙钛矿结构A位，Ta进入钙钛矿结构B位，诱导铁电-非极性相变，同时增加晶体结构畸变，从而获得A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷；具体的制备方法如下：制备0.94Na 0.5 Bi 0.5 TiO 3 -0.06BaTiO 3 粉体，即NBT-BT粉体：采用传统固相法，由BiO 2 、Na 2 CO 3 、Ba 2 CO 3 和TiO 2 依次经过混料、球磨、烘干、预烧、二次球磨和二次烘干制备；在0.94Na 0.5 Bi 0.5 TiO 3 -0.06BaTiO 3 粉体中加入La 2 O 3 和Ta 2 O 5 ，其中La 2 O 3 与Ta 2 O 5 的摩尔比为1：1，依次采用混料、球磨、烘干、预烧、二次球磨和干燥工艺，得到NBT-BT+xLaTaO 4 固溶体粉末，其中0.02≤x≤0.04，x为钛酸铋钠基无铅压电陶瓷中的LaTaO 4 与钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的质量比。
2.一种A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征在于，在钛酸铋钠陶瓷基体中掺杂钽酸镧，利用LaTaO 4 掺杂，使La 3+ 进入钙钛矿结构A位，Ta进入钙钛矿结构B位，诱导铁电-非极性相变，同时增加晶体结构畸变，从而获得A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷；具体的制备方法如下：步骤1），制备0.94Na 0.5 Bi 0.5 TiO3-0.06BaTiO3粉体，即NBT-BT粉体：采用传统固相法，以BiO 2 、Na 2 CO 3 、Ba 2 CO 3 和TiO 2 ，依次经过混料、球磨、烘干、预烧、二次球磨和二次烘干制备；步骤2），在NBT-BT粉体中加入La 2 O 3 和Ta 2 O 5 ：首先称取摩尔比为1：1的La 2 O 3 和Ta 2 O 5 粉末，按照NBT-BT+xLaTaO 4 化学配比，0.02≤x≤0.04，x为钛酸铋钠基无铅压电陶瓷中的LaTaO 4 与钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的质量比，加入步骤1）制备的NBT-BT粉末中，依次采用混料、球磨、烘干、预烧、二次球磨和二次烘干制备得到NBT-BT+xLaTaO 4 粉末；步骤3），粉末压制：在NBT-BT+xLaTaO 4 粉末中加入3wt％～7wt％的聚乙烯醇溶液进行造粒，然后使用压力机压制成圆片；步骤4），烧结：压制后的圆片去除聚乙烯醇，然后继续升温至1050-1250℃保温1-6小时，冷却后得到A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷。
3.根据权利要求2所述的一种A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的步骤1）中，球磨时间为11-24小时，预烧温度为800-900℃，预烧时间为1-6小时，二次球磨时间为11-24小时。
4.根据权利要求2所述的一种A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的步骤2）中，球磨时间为4-7小时，预烧温度为850-950℃，预烧时间为1-6小时，二次球磨时间为4-7小时。
5.根据权利要求2所述的一种A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的步骤4）中，升温速率为1-5℃/分钟，冷却方式为随炉冷却。
6.根据权利要求2所述的一种A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的步骤4）中，烧结温度为1100-1200℃，保温时间为2-4h。
7.根据权利要求2所述的一种A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤1）中的预烧温度为850℃，步骤2）中的预烧温度为900℃，步骤4）中的烧结温度为1140℃。
8.根据权利要求1或2所述的一种A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述球磨和二次球磨均为湿法球磨，溶剂为无水乙醇；球磨转速为200-300rpm。
9.一种A、B位共掺钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，其特征在于，其采用权利要求1-8任一项所述的制备方法制得。
