1.一种制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述碳化硅陶瓷的弯曲强度不低于600MPa，所述碳化硅陶瓷的断裂韧性不小于10MPa·m 1/2 ，所述碳化硅陶瓷的致密度不小于98%，所述方法包括：（1）将碳化硅粉体和烧结助剂混合，以便得到原料粉体；（2）放电等离子烧结炉的烧结模具的内壁邻接有绝缘陶瓷层，将所述原料粉体放入所述烧结模具中进行放电等离子烧结，以便得到碳化硅陶瓷，其中，所述绝缘陶瓷层的厚度为1mm~2.5mm；所述放电等离子烧结的温度为1500℃~1750℃，所述放电等离子烧结的压力为30MPa~60MPa，保温时间为0.5min~20min；所述放电等离子烧结的温度在升温过程中，所述烧结温度小于600℃，升温速率为180℃/min~220℃/min，所述烧结温度大于600℃，升温速率为90℃/min~120℃/min。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述碳化硅粉体的粒径为1μm~5μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，基于所述原料粉体的总质量，所述烧结助剂的质量占比为1wt%~10wt%。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述烧结助剂包括金属单质烧结助剂和金属氧化物烧结助剂。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属单质烧结助剂包括铝、铁、银和镁中的至少之一。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物烧结助剂包括氧化铝、氧化钇、氧化硼、氧化镁和氧化钙中的至少之一。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘陶瓷层的包括氮化硼陶瓷、氧化锆陶瓷或氧化铝陶瓷。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，所述烧结模具的内径为10mm~150mm，所述烧结模具的高度为1cm~20cm。
9.一种由权利要求1~8中任一项所述的方法制备得到的碳化硅陶瓷，其特征在于，所述碳化硅陶瓷的弯曲强度不低于600MPa，所述碳化硅陶瓷的断裂韧性不小于10MPa·m 1/2 ，所述碳化硅陶瓷的致密度不小于98%。
