1.一种BOOST PFC电路的延时开关电路，其特征在于，包括：输入滤波电容C1，其一端连接电压输入端VIN，另一端接地；输出滤波电容C4，其一端连接与BOOSTPFC电路连接的电压输出端VOUT，另一端接地；延时电路,其并联在所述输入滤波电容C1的两端；第一稳压二极管D1，其连接所述延时电路,用于稳定输入电压；电压基准芯片U1，其连接延时电路以及接地；增强型NMOSFETQ1，其G极连接所述电压基准芯片U1；开关单元，其分别连接所述电压基准芯片U1、增强型NMOSFETQ1以及电源的电压输入端VOUT。
2.如权利要求1所述的延时开关电路，其特征在于，所述开关单元包括NPN型三极管Q2，其基极连接所述增强型NMOSFETQ1的D极、集电极连接所述电压基准芯片U1、发射极连接电源的电压输入端VOUT。
3.如权利要求1所述的延时开关电路，其特征在于，所述开关单元包括增强型NMOSFETQ2，其G极连接增强型NMOSFETQ1的D极、S极连接电压输入端VOUT、D极连接所述电压基准芯片U1。
4.如权利要求1所述的延时开关电路，其特征在于，所述延时电路包括：第一电阻R1、第二电阻R2以及第一电容C2；其中，所述第一电阻R1的第1端连接电压输入端VIN，第2端连接所述第二电阻R2的第1端，所述第二电阻R2的第2端连接所述第一电容C2的一端，所述第一电容C2的另一端接地；所述第一稳压二极管D1的阳极接地，阴极连接所述第一电阻R1的第2端以及第二电阻R2的第1端；所述电压基准芯片U1分别连接所述第二电阻R2的第2端以及第一电容C2。
5.如权利要求1所述的延时开关电路，其特征在于，所述延时开关电路还包括：第三电阻R3、第四电阻R4以及第一二极管D2；其中，所述第一二极管D2的阴极连接电源输入端VIN，阴极分别连接所述第三电阻R3的第1端、电压基准芯片U1以及第二电阻R2的第2端；所述第三电阻R3的第2端接地。
6.如权利要求1所述的延时开关电路，其特征在于，所述延时开关电路还包括：第五电阻R5、第二二极管D4；其中，所述第五电阻R5的第1端连接电压输入端VIN，第2端连接增强型NMOSFETQ1的D极；所述第二二极管D4的阴极连接电压输入端VIN，阳极连接电压输出端VOUT。
7.如权利要求6所述的延时开关电路，其特征在于，所述延时开关电路还包括：第二电容C3、第二稳压二极管D3、第三稳压二极管D5；其中，所述第二电容C3一端连接所述连接电压输出端VOUT，另一端连接所述第三稳压二极管D5的阴极，所述第三稳压二极管D5的阳极接地；所述第二稳压二极管D3的阳极接地，阴极分别连接电压基准芯片U1以及增强型NMOSFETQ1的G极。
8.如权利要求7所述的延时开关电路，其特征在于，所述延时开关电路还包括：第四稳压二极管D6，其阳极连接电压输出端VOUT，阴极连接所述第三稳压二极管D5的阴极。
9.如权利要求1所述的延时开关电路，其特征在于，所述电压基准芯片U1基准电压为1.25V或2.5V。
10.如权利要求1所述的延时开关电路，其特征在于，所述增强型NMOSFET Q1的S极和D极之间连接寄生二极管。
