1.一种氮化铝单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的表面沉积氮化铝多晶膜层，退火使所述氮化铝多晶膜层重结晶形成氮化铝单晶膜层，保持退火气氛及退火温度，自所述衬底背离所述氮化铝单晶膜层的一侧对所述衬底进行减薄处理，冷却，获得氮化铝单晶复合衬底；其中，所述减薄处理后所述衬底的厚度大于等于100μm，所述减薄处理前后所述衬底的厚度差大于等于100μm；其中，所述衬底具有相对的正面以及背面，所述氮化铝多晶膜层形成于所述正面，所述退火和所述减薄处理在同一腔体内进行，所述退火的过程中所述背面的边缘与载具接触以使所述衬底悬空，所述氮化铝多晶膜层、以及所述背面至少与所述氮化铝多晶膜层对应的部分均裸露于腔体气氛中；所述减薄处理的方式包括：采用等离子体轰击的方式减薄所述衬底，且所述背面面向所述等离子体的轰击方向。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述减薄处理前后所述衬底的厚度差为100μm-500μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体的轰击能量为150-250keV。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述等离子体为镓等离子体。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述减薄处理的方式包括：采用由所述等离子体组成的离子束往复扫描所述衬底以进行逐层减薄。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述载具的材质为碳化硅或者石墨。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述氮化铝多晶膜层的厚度为100nm-5μm。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述退火包括：在退火气氛为氮气常压氛围中，在1600℃-1800℃保温3h-10h。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，冷却为保持氮气常压氛围随炉冷却。
