1.一种非极性面氮化铝单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：在r晶面取向的蓝宝石衬底的表面沉积氮化铝多晶薄膜，随后连续进行多次高温退火，获得a面氮化铝单晶薄膜；其中，所述高温退火包括在保持内部气压不变的前提下依次进行的升温处理、保温处理以及降温处理；所述升温处理包括：在纯N 2 气氛中升温至预设退火温度，所述预设退火温度为1700-1800℃；所述保温处理包括：在N 2 与O 2 的混合气氛中，在所述预设退火温度下保温15-300min，其中所述混合气氛中的N 2 的体积百分比大于O 2 的体积百分比；所述降温处理包括：在纯N 2 气氛中自然冷却至1000℃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保温处理中，所述O 2 的体积百分比为2%。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温退火的次数为3-5次。
4. 根据权利要求1-3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：对所述a面氮化铝单晶薄膜的表面进行抛磨处理，以使所述a面氮化铝单晶薄膜的表面的粗糙度Ra＜5 nm。
5. 根据权利要求1-3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述氮化铝多晶薄膜的厚度为200-2000 nm。
6. 根据权利要求1-3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石衬底为晶向为r向(11 ̅02)且晶体结构为α相的单晶蓝宝石。
7.一种声表面波器件的制备方法，其特征在于，包括：以权利要求1-6任意一项所述的制备方法制得的非极性面氮化铝单晶复合衬底为基底，在所述a面氮化铝单晶薄膜的表面制备叉指电极以及反射栅；其中，所述a面氮化铝单晶薄膜的表面的粗糙度Ra＜5 nm，所述a面氮化铝单晶薄膜的c轴位于所述a面氮化铝单晶薄膜的面内，所述叉指电极在面内的法线方向平行于所述a面氮化铝单晶薄膜在面内的c轴方向。
8.一种由权利要求7所述的制备方法制得的声表面波器件，其特征在于，包括：r晶面取向的蓝宝石衬底，生长于所述蓝宝石衬底上的a面氮化铝单晶薄膜，以及形成在所述a面氮化铝单晶薄膜上的叉指电极以及反射栅；其中，所述a面氮化铝单晶薄膜的表面的粗糙度Ra＜5 nm，所述a面氮化铝单晶薄膜的c轴位于所述a面氮化铝单晶薄膜的面内，所述叉指电极在面内的法线方向平行于所述a面氮化铝单晶薄膜在面内的c轴方向。
9.根据权利要求8所述的声表面波器件，其特征在于，所述叉指电极由金属制得。
10.根据权利要求8所述的声表面波器件，其特征在于，所述声表面波器件为高频声表面波器件、声表面波谐振器、声表面波滤波器或声表面波传感器。
