1.一种多芯少模光纤，其特征在于，包括：多个少模纤芯和用于包裹多个少模纤芯的光纤包层；所述少模纤芯的目标折射率分布通过下述方法确定：获取所述少模纤芯预设的折射率分布n；基于所述折射率分布n确定相对应的声波角频率ω a ，声波纵向声速V L 以及声波传输常数β a ；将所述声波角频率ω a ，所述声波纵向声速V L 以及所述声波传输常数β a 代入下述公式，计算得到位移场分布u(x,y)的数量；其中，(x,y)为光纤横截面上某一点的位置坐标；在所述位移场分布u(x,y)的数量小于2时，对所述折射率分布n进行调整，再次基于上述公式计算对应的位移场分布u(x,y)的数量；重复此步骤，直至所述位移场分布u(x,y)的数量大于或等于2，将所述折射率分布n确定为目标折射率分布。
2.根据权利要求1所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述少模纤芯包含多个基于所述目标折射率分布划分的折射率层，多个折射率层从中心到外侧依次为：芯层、第一凹陷层、折射率环层、内包层及第二凹陷层。
3.根据权利要求2所述的多芯少模光纤，其特征在于，任意两个布里渊散射峰的曲率-布里渊频移响应度不同。
4.根据权利要求3所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述芯层为渐变芯层，所述渐变芯层的半径位于8μm至10μm之间，通过调整掺杂的锗元素和/或磷元素的浓度，控制所述渐变芯层的最大折射率与所述光纤包层的相对折射率差位于0.9％至1.6％之间。
5.根据权利要求4所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述第一凹陷层的半径与所述渐变芯层的半径之差位于1μm至1.5μm之间，通过调整掺杂的氟元素和/或硼元素的浓度，控制所述第一凹陷层的折射率与所述光纤包层的相对折射率差位于-0.3％至-0.14％之间。
6.根据权利要求5所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述折射率环层的半径与所述第一凹陷层的半径之差位于1μm至3μm之间，通过调整掺杂的锗元素和/或磷元素的浓度，控制所述折射率环层的折射率与所述光纤包层的相对折射率差位于0至0.4％之间。
7.根据权利要求6所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述内包层的半径与所述折射率环层的半径之差位于1μm至2μm之间，通过调整掺杂的氟元素和/或硼元素的浓度，控制所述内包层的折射率与所述光纤包层的相对折射率差位于-0.3％至-0.14％之间。
8.根据权利要求7所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述第二凹陷层的半径与所述折射率环层的半径之差位于7μm至10μm之间，通过调整掺杂的氟元素和/或硼元素的浓度，控制所述第二凹陷层的折射率与所述光纤包层的相对折射率差位于-1％至-0.6％之间。
9.根据权利要求1所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述光纤包层为纯二氧化硅或掺杂氟元素的二氧化硅。
10.根据权利要求1-9任一项所述的多芯少模光纤，其特征在于，多个少模纤芯的一个少模纤芯设置于所述光纤包层的圆心位置，其余少模纤芯与设置于所述光纤包层的圆心位置的少模纤芯的距离相同，且其余少模纤芯中相邻的两个少模纤芯之间的距离相同。
11.根据权利要求1-9任一项所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述多芯少模光纤的布里渊散射过程激发的布里渊散射峰对应的曲率-布里渊频移响应度大于或者等于6.05。
12.根据权利要求1-9任一项所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述多芯少模光纤在1550nm处的模场面积大于或者等于110μm 2 。
13.根据权利要求1-9任一项所述的多芯少模光纤，其特征在于，所述多芯少模光纤的相邻阶光模式之间的群时延小于或者等于0.5ns/m，两个相邻光模组之间的有效折射率之差大于或者等于2.1×10 -3 。
14.一种少模纤芯折射率分布的确定方法，其特征在于，所述少模纤芯包含于多芯少模光纤中，包括：获取所述少模纤芯预设的折射率分布n；基于所述折射率分布n确定相对应的声波角频率ω a ，声波纵向声速V L 以及声波传输常数β a ；将所述声波角频率ω a ，所述声波纵向声速V L 以及所述声波传输常数β a 代入下述公式，计算得到位移场分布u(x,y)的数量；其中，(x,y)为光纤横截面上某一点的位置坐标；在所述位移场分布u(x,y)的数量小于2时，对所述折射率分布n进行调整，再次基于上述公式计算对应的位移场分布u(x,y)的数量；重复此步骤，直至所述位移场分布u(x,y)的数量大于或等于2，将所述折射率分布n确定为目标折射率分布。
