1.一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，包括如下步骤：步骤一，氟化铵浸泡；用胶带保护静电吸盘的阳极氧化面，将部件浸泡在氟化铵药液中，总浸泡时间为3-6小时；步骤二，热水浸泡；将静电吸盘放置于固定平台上，用60℃的热水浸泡2-5小时；步骤三，打磨；将工作面的氦气孔与提拉孔用圆形胶带进行保护，将部件固定于打磨机上，打磨机转速设置为80-120rpm，总打磨时间为2-10小时；步骤四，高压水清洗；去除保护，将打磨后的静电吸盘用高压水整体冲洗，冲洗压力设定在2-6MPa；步骤五，超声波清洗；将部件搬运至100级无尘室进行超声波清洗，超声波功率密度为4-10w/in 2 ，超声时间为5-15min，最后用氮气吹干；步骤六，干燥；吹干后的部件放至无尘烘箱内进行加热干燥。
2.根据权利要求1所述的一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，其特征在于：步骤一中，所述胶带为防酸胶带。
3.根据权利要求2所述的一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，其特征在于：步骤一中，所述胶带为PET，PI，PVC中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，其特征在于：步骤一中，氟化铵药液为氟酸和氟化铵的混合溶液，混合溶液包括质量百分比含量为5％～10％的氟酸、质量百分比含量为25％～40％的氟化铵，余量为去离子水。
5.根据权利要求1所述的一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，其特征在于：步骤二中，热水浸泡需要在水温低于50℃时取放部件。
6.根据权利要求1所述的一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，其特征在于：步骤三中，打磨膏为3M研磨膏。
7.根据权利要求1所述的一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，其特征在于：步骤五中，超声波清洗槽的纯水溢流量大于250L/h，纯水电阻大于2MΩ。
8.根据权利要求1所述的一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，其特征在于：步骤六中，所述无尘烘箱的隔板上放置特氟龙棒，再用无纺布垫盖，部件上端与隔板距离应大于5cm，摆放完成后开启烘烤程序。
9.根据权利要求1所述的一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，其特征在于：步骤六中，烘箱温度设定为60-80℃，恒温时间设定为5-10小时，程序结束后在40℃以下开烘箱进行无尘包装。
10.一种半导体设备静电吸盘的湿法清洁工艺，包括如下步骤：步骤一，氟化铵浸泡；用胶带保护静电吸盘的阳极氧化面，将部件浸泡在氟化铵药液中，总浸泡时间为3小时；氟化铵药液为氟酸和氟化铵的混合溶液，混合溶液包括质量百分比含量为6％氟酸、质量百分比含量为30％的氟化铵，余量为去离子水；步骤二，热水浸泡；将静电吸盘放置于固定平台上，用60℃的热水浸泡2小时；步骤三，打磨；将工作面的氦气孔与提拉孔用圆形胶带进行保护，将部件固定于打磨机上，打磨机转速设置为90rpm，总打磨时间为2小时；步骤四，高压水清洗；去除保护，将打磨后的静电吸盘用高压水整体冲洗，冲洗压力设定在3MPa；步骤五，超声波清洗；将部件搬运至100级无尘室进行超声波清洗，超声波清洗槽的纯水溢流量大于250L/h，纯水电阻大于2MΩ，超声波功率密度为5w/in 22 ，超声时间为5min，最后用氮气吹干；步骤六，干燥；吹干后的部件放至无尘烘箱内进行加热干燥；所述无尘烘箱的隔板上放置特氟龙棒，再用无纺布垫盖，部件上端与隔板距离应大于5cm，摆放完成后开启烘烤程序；烘箱温度设定为65℃，恒温时间设定为6小时，程序结束后在40℃以下开烘箱进行无尘包装。
