1.一种硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：在氮气和氩气的第一混合气氛中，采用反应磁控溅射法在硅衬底的表面形成第一氮化铝薄膜；在氮气和氩气的第二混合气氛中，继续采用所述反应磁控溅射法在所述第一氮化铝薄膜的表面形成第二氮化铝薄膜，其中所述第二氮化铝薄膜和所述第一氮化铝膜薄膜均为柱状晶，所述第一混合气氛中氮氩流量比为8~13.4，所述第二混合气氛中的氮氩流量比小于所述第一混合气氛中氮氩流量比，所述第二氮化铝薄膜的厚度小于所述第一氮化铝薄膜的厚度；或者，所述第二混合气氛中的氮氩流量比为8~13.4，所述第二混合气氛中的氮氩流量比大于所述第一混合气氛中氮氩流量比，所述第二氮化铝薄膜的厚度大于所述第一氮化铝薄膜；重复上述步骤，以获得由所述第一氮化铝薄膜和所述第二氮化铝薄膜依次交替呈周期性变化的氮化铝薄膜。
2. 根据权利要求1所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第二混合气氛中的氮氩流量比为所述第一混合气氛中的氮氩流量比的 0.49~0.51倍。
3. 根据权利要求2所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一氮化铝薄膜的厚度为50~100 nm，所述第二氮化铝薄膜的厚度为所述第一氮化铝薄膜的厚度的20~50%。
4.根据权利要求2所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，位于所述氮化铝薄膜背离所述硅衬底的一侧为所述第一氮化铝薄膜。
5.根据权利要求1所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一混合气氛中的氮氩流量比为所述第二混合气氛中的氮氩流量比的0.49~0.51倍。
6. 根据权利要求5所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第二氮化铝薄膜的厚度为50~100 nm，所述第一氮化铝薄膜的厚度为所述第二氮化铝薄膜的厚度的20~50%。
7.根据权利要求5所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，位于所述氮化铝薄膜背离所述硅衬底的一侧为所述第二氮化铝薄膜。
8.根据权利要求1~7任意一项所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一混合气氛中所述氩气的流量和所述第二混合气氛中所述氩气的流量相同。
9.根据权利要求8所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述氩气的流量为30~50sccm。
10.根据权利要求1~7任意一项所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在形成所述第一氮化铝薄膜之后，对所述第一氮化铝薄膜的表面进行氮等离子体处理后，再采用所述反应磁控溅射法形成所述第二氮化铝薄膜；和/或，在形成所述第二氮化铝薄膜之后，对所述第二氮化铝薄膜的表面进行氮等离子体处理后，再采用所述反应磁控溅射法形成所述第一氮化铝薄膜；和/或，在所述硅衬底的表面形成所述第一氮化铝薄膜之前，对所述硅衬底的表面进行氮等离子体处理。
11. 根据权利要求10所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述氮等离子体处理在反应磁控溅射沉积设备的腔体中进行，所述氮等离子体处理的步骤包括：背景气氛为纯氮气，氮等离子体功率为100~200W，处理过程中腔体压强为0.2~0.4 Pa。
12.根据权利要求1~7任意一项所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述反应磁控溅射法中溅射功率为3000~5000W，溅射温度为600~700℃，真空度为0.1~0.9Pa。
13. 根据权利要求1~7任意一项所述的硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，所述硅衬底包括晶向为 [111]或 [110]，且无斜切角的立方相单晶硅。
14.一种如权利要求1~13任一项所述的制备方法制得的硅基氮化铝复合衬底，其特征在于，包括硅衬底以及形成于所述硅衬底的表面的氮化铝薄膜，自靠近所述硅衬底至远离所述硅衬底的一侧的方向上，所述氮化铝薄膜由依次交替呈周期性变化的第一氮化铝薄膜和第二氮化铝薄膜组成，所述第一氮化铝薄膜和所述第二氮化铝薄膜均为柱状晶；其中，所述第一氮化铝薄膜的厚度为50~100 nm，所述第二氮化铝薄膜的厚度为所述第一氮化铝薄膜的厚度的20~50%，所述第一氮化铝薄膜的结晶质量优于所述第二氮化铝薄膜的结晶质量；或者，所述第二氮化铝薄膜的厚度为50~100 nm，所述第一氮化铝薄膜的厚度为所述第二氮化铝薄膜的厚度的20~50%，所述第二氮化铝薄膜的结晶质量优于所述第一氮化铝薄膜的结晶质量。
15. 根据权利要求14所述的硅基氮化铝复合衬底，其特征在于，所述氮化铝薄膜的厚度为60 nm~1000 nm。
