1.一种单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：获得单晶复合衬底模板，所述单晶复合衬底模板包括衬底以及形成于其表面的单晶模板；在所述单晶模板的表面沉积一层沉积层，所述沉积层与所述单晶模板的材质相同，所述沉积层为非晶相；对所述沉积层使用脉冲激光辐射处理以使所述沉积层重结晶，获得单晶膜，所述重结晶的过程中所述衬底保持室温；重复沉积和重结晶的步骤，直至所述单晶膜的堆叠厚度达到预设厚度；所述沉积层的厚度小于等于5nm。
2.根据权利要求1所述的单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，所述脉冲激光辐射处理的功率密度小于等于1J/cm 2 ，脉冲时间为毫秒数量级以内。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，所述沉积层采用物理气相沉积法形成。
4.根据权利要求3所述的单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，所述沉积层的生长温度不大于600℃。
5.根据权利要求1-2任意一项所述的单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，所述脉冲激光辐射处理在保护气氛中进行，所述保护气氛用于抑制所述沉积层的表面在所述重结晶的过程中分解且不引入杂质。
6. 根据权利要求5所述的单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，所述沉积层的成分为氮化物，所述保护气氛为氮气；或，所述沉积层的成分为氧化物，所述保护气氛为氧气；或所述沉积层成分为碳化硅，所述保护气氛为甲烷。
7.根据权利要求1-2任意一项所述的单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅、蓝宝石、碳化硅或氮化镓，所述单晶模板包括氮化铝、氮化镓、碳化硅或氧化镓，所述单晶模板的材质与所述衬底的材质不同。
8.根据权利要求1-2任意一项所述的单晶复合衬底的制备方法，其特征在于，所述脉冲激光辐射处理采用的光源为超快速非接触式辐照光源，所述超快速非接触式辐照光源包括氙灯、闪光灯或脉冲激光。
9.一种单晶复合衬底，其特征在于，其由权利要求1-8任一项所述的制备方法制得。
