1.一种同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将二氰二胺进行煅烧制备得到预烧体A，将尿素进行煅烧制备得到预烧体B；S2.将预烧体A和预烧体B进行混合，制备得到预烧体混合物；S3.将预烧体混合物进行煅烧反应制备得到同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料。
2.根据权利要求1所述的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中，二氰二胺进行煅烧的反应温度为500～600℃，反应时间为2～6h。
3.根据权利要求1所述的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中，尿素进行煅烧的反应温度为500～600℃，反应时间为2～6h。
4.根据权利要求1所述的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，预烧体A和预烧体B的质量之比为：0.5～5：1。
5.根据权利要求1所述的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中，预烧体混合物进行煅烧反应的温度为380～520℃，反应时间为1～3h。
6.根据权利要求1所述的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中，制备得到的预烧体A为致密结构，BET法测得预烧体A的比表面积为10～20m 2 /g。
7.根据权利要求1所述的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中，制备得到的预烧体B为多孔结构，BET法测得预烧体B的比表面积为40～80m 2 /g。
8.根据权利要求1所述的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中，制备得到的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料为多孔结构，由BET法测得比表面积为120～180m 2 /g。
9.根据权利要求1所述的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中，制备得到的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料，以0.04g/100mL的添加量，光催化降解浓度为10mg/L的四环素溶液，光照60min后，四环素的降解率为65.7％～82.1％。
10.一种同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料，由根据权利要求1～9任一项所述的同型异质结g-C 3 N 4 光催化材料的制备方法得到。
