一种半导电缓冲层材料及其制备方法和应用

1.半导电缓冲层材料在高压和/或超高压预制件中的应用，其特征在于，所述半导电缓冲层材料的制备原料包括重量份计的：基体树脂：100份；柔性树脂：120份～150份；酸酐类固化剂：80份～100份；胺类促进剂：1份～8份；导电填料：5份～10份；聚硫橡胶：80份～100份；所述基体树脂包括E-51环氧树脂、E-44环氧树脂、CYD-128环氧树脂和6101环氧树脂中的至少一种；所述柔性树脂包括LER-0350、DER 732P、DER 736和DER 791中的至少一种；所述酸酐类固化剂包括甲基四氢苯酐、甲基六氢苯酐、四氢苯酐和六氢苯酐中的至少一种；所述聚硫橡胶包括JLY-121、JLY-124、JLY-155和JLY-215中的至少一种；所述超高压预制件指220kV～500kV的预制件；所述高压预制件指≤110kV的预制件。 2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述半导电缓冲层材料的制备方法包括将所述基体树脂、柔性树脂、酸酐类固化剂、胺类促进剂、导电填料和聚硫橡胶按比例混匀，搅拌脱气后，加热固化，降温后即得所述的半导电缓冲层材料。 3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述加热固化的温度为60℃～80℃。 4.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述加热固化的时间为8h～12h。 5.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述降温的速度为0.05℃/min～0.15℃/min。