在审
一种等离子体电极垂直外腔面发射激光器及其使用方法
吴
吴振海 专利 28
中国工程物理研究院激光聚变研究中心郑
郑建刚 专利 93
中国工程物理研究院激光聚变研究中心孙
孙喜博 专利 44
中国工程物理研究院激光聚变研究中心张
张君 专利 281
内蒙古自治区农牧业科学院龙
龙蛟 专利 57
中国工程物理研究院激光聚变研究中心高
高松 专利 60
中国工程物理研究院激光聚变研究中心蒋
蒋新颖 专利 69
潮汕职业技术学院严
严雄伟 专利 71
中国工程物理研究院激光聚变研究中心张
张晓璐 专利 68
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
薛峤 专利 102
中国科学院生态环境研究中心邵
邵婷 专利 50
中国工程物理研究院激光聚变研究中心肖
肖凯博 专利 27
中国工程物理研究院激光聚变研究中心胡
胡东霞 专利 233
清华大学摘要
本发明涉及一种等离子体电极垂直外腔面发射激光器及其使用方法,属于半导体激光器技术领域,等离子体电极垂直外腔面发射激光器依次包括面电极、衬底、DBR、有源区、等离子体电极以及外腔镜,所述等离子体电极以气体放电产生的低温等离子体作为电极,且所述等离子体电极位于垂直外腔面发射激光器的出光侧,所述外腔镜对应出光侧设置,本发明中低温等离子体对激光的透过率接近百分之百,具有较高的损伤阈值,可承受高功率高能量激光输出,出光侧的整个通光口径内均有等离子体电极覆盖,电流分布几乎一致,无电流拥挤效应,有源区内的注入电流分布均匀,可输出较高质量的激光光束,同时,等离子体电极可以扩散至任意口径,可实现大口径VECSEL。
暂无引用专利



