半导体装置及制造半导体装置的方法

本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括单元区域和接触区域；狭缝结构，其被构造为在第一方向上延伸穿过栅极结构；第一沟道结构，其设置在栅极结构的单元区域中；以及第二沟道结构，其设置在栅极结构的单元区域中并且设置为比第一沟道结构更邻近栅极结构的接触区域。在与第一方向交叉的第二方向上，第一沟道结构可以与狭缝结构间隔开第一距离，并且第二沟道结构可以与狭缝结构间隔开第二距离。