一种双脉宽激光耦合剥离半导体材料的设备及方法

本发明公开了一种双脉宽激光耦合剥离半导体材料的设备及方法，通过将双脉宽激光耦合辐照至半导体材料内，利用高光强的飞秒脉冲激光将价带的电子跃迁至导带形成自由电子种子，随后利用长脉冲激光对导带上的自由电子进行吸收、产热并形成热应力差，从而实现半导体材料的激光诱导改质以及剥离。不仅解决了传统机械加工如碳化硅、金刚石等高硬度半导体材料耗时长、损耗大等问题，同时也降低了传统激光改质作业中对超短脉冲激光单脉冲能量的要求，节省制造成本，为硬脆半导体材料的广泛应用提供可靠的帮助。