1.一种半导体氧化物材料在臭氧检测中的应用，其特征在于，所述半导体氧化物材料的晶格中包含铟和掺杂金属元素，所述掺杂金属元素包括铁、锡和锑中的一种或多种；其中，当所述掺杂金属元素为铁或锑时，所述半导体氧化物材料的X射线衍射图谱中包含2θ位于30.4°~30.9°、32.6°~33.0°和35.3°~35.6°的三个衍射峰，分别对应于104晶面、110晶面和400晶面，所述半导体氧化物材料包含第一晶型和第二晶型，所述第一晶型为六方刚玉结构，所述第二晶型为立方铁锰矿结构；当所述掺杂金属元素为锡时，所述半导体氧化物材料的X射线衍射图谱中包含2θ位于30.4°~30.9°和32.6°~33.0°的两个衍射峰，分别对应于104晶面和110晶面，所述半导体氧化物材料为六方刚玉结构；所述半导体氧化物材料中微观颗粒的平均粒径为10nm~150nm；所述半导体氧化物的制备方法，包括以下步骤：制备包括铟离子和水的前驱体A溶液；其中，所述前驱体A溶液还包括表面活性剂和pH调节剂；所述前驱体A溶液中的铟离子来自InCl 3 和InCl 3 水合物中的一种或两种，所述表面活性剂选自柠檬酸钠，所述pH调节剂选自尿素；将掺杂离子溶液与所述前驱体A溶液混合，制备得到前驱体混合溶液；其中，所述掺杂离子溶液含有掺杂离子和水，所述掺杂离子包括三价铁离子、四价锡离子和五价锑离子中的一种或多种；当所述掺杂离子溶液含有三价铁离子时，所述三价铁离子来自FeCl 3 和FeCl 3 水合物中的一种或两种，所述掺杂离子溶液中三价铁离子的摩尔量相对于所述前驱体A溶液中的铟离子的摩尔量之比为（0.005~0.03）：1；当所述掺杂离子溶液含有四价锡离子时，所述四价锡离子来自SnCl 4 和SnCl 4 水合物中的一种或两种，所述掺杂离子溶液中四价锡离子的摩尔量相对于所述前驱体A溶液中的铟离子的摩尔量之比为（0.004~0.006）：1；当所述掺杂离子溶液含有五价锑离子时，所述五价锑离子来自SbCl 5 和SbCl 5 水合物中的一种或两种，所述掺杂离子溶液中五价锑离子的摩尔量相对于所述前驱体A溶液中的铟离子的摩尔量之比为（0.004~0.006）：1；将所述前驱体混合溶液于130℃~140℃进行水热反应24h~25h，进行包括固液分离、水洗和醇洗的步骤，干燥，制备得到中间体固态物；所述醇洗的溶剂为乙醇；将所述中间体固态物以5°C/min升温至400℃~410℃，于400℃~410℃进行煅烧处理1.8h~2h，制备得到所述半导体氧化物材料。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述半导体氧化物材料中金属元素的原子数满足如下关系：Fe a ：In a =0.005：1或Fe a ：In a =0.01：1或Fe a ：In a =0.03：1；其中，Fe a 和In a 分别为半导体氧化物材料中铁元素的原子数和铟元素的原子数。
3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述半导体氧化物材料中金属元素的原子数满足如下关系：Sn a ：In a =0.005：1；其中，Sn a 和In a 分别为半导体氧化物材料中锡元素的原子数和铟元素的原子数。
4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述半导体氧化物材料中金属元素的原子数满足如下关系：Sb a ：In a =0.005：1；其中，Sb a 和In a 分别为半导体氧化物材料中锑元素的原子数和铟元素的原子数。
5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述半导体氧化物材料中金属元素的原子数满足如下关系：Fe a ：Sn a ：Sb a ：In a =0.005：0.005：0.005：1；其中，Fe a 、Sn a 、Sb a 和In a 分别为半导体氧化物材料中铁元素的原子数、锡元素的原子数、锑元素的原子数和铟元素的原子数。
6.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，将掺杂离子溶液与所述前驱体A溶液混合，制备得到前驱体混合溶液的步骤中，当所述掺杂离子溶液含有三价铁离子时，所述掺杂离子溶液中三价铁离子的摩尔量相对于所述前驱体A溶液中的铟离子的摩尔量之比选自0.015：1或0.025：1。
7.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，将掺杂离子溶液与所述前驱体A溶液混合，制备得到前驱体混合溶液的步骤中，当所述掺杂离子溶液含有三价铁离子时，所述掺杂离子溶液中三价铁离子的摩尔量相对于所述前驱体A溶液中的铟离子的摩尔量之比选自0.02：1。
8.一种O 3 传感器，其特征在于，包括敏感元件，所述敏感元件包含气敏层，所述气敏层包含敏感材料，所述敏感材料为权利要求1~7中任一项所述的应用中的所述半导体氧化物材料，并根据权利要求1~7中任一项所述的应用中的所述半导体氧化物材料的制备方法制备得到。
9.根据权利要求8所述的O 3 传感器，其特征在于，包括敏感元件，所述敏感元件包含陶瓷管基体、所述气敏层和Au测量电极。
10.一种气体检测装置，其特征在于，包括权利要求8或9所述的O 3 传感器。
