一种磁改性三维花状N-BiOCO/g-CN光催化材料的制备方法及应用
摘要
本发明提供了一种磁改性三维花状N‑Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>/g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>光催化材料的制备方法及应用，属于无机‑有机复合纳米材料制备技术领域。所述制备方法如下：S1、制备g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米片；S2、制备三维花状N‑Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>/g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>光催化材料；S3、制备磁改性三维花状N‑Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>/g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>光催化材料：将S2制备的三维花状N‑Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>/g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>光催化材料分散到Fe<Sup>2+</Sup>和Fe<Sup>3+</Sup>混合溶液中，在N<Sub>2</Sub>保护下陈化，然后调节pH至8‑9，反应后经过滤、洗涤、烘干得到磁改性三维花状N‑Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>/g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>光催化材料。该方法采用g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米片作为牺牲模板，在高温碱性条件下，部分g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>被剥离提供C源和N源，在另外未被剥离的g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>表面原位生长N‑Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>，自组装形成三维花状N‑Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>/g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>二元异质结复合材料，无需去模板工序，具有制备环保、成本较低、操作简单可控等特点。
