基于绝缘衬底上硅-二维材料异质集成光电探测器及其制备方法

本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于绝缘衬底上硅‑二维材料异质集成光电探测器及其制备方法。本发明光电探测器由基于绝缘层上硅的场效应晶体管A和基于二维薄膜材料的场效应晶体管B组合而成；晶体管A与晶体管B物理位置呈纵向垂直分布；晶体管A中的栅极与晶体管B中的漏极之间连通；晶体管B用作光探测，产生电信号通过二维二极管与晶体管A构成的高增益输出；探测过程使晶体管A阈值电压下降，沟道区电导增加，导致漏极电流的显著提升，实现一步光电探测。本发明将沟道材料从硅替换为二维材料实现量子效率的大幅提高，并具有泄漏电流低、寄生电容小，背栅电压调节等优势，此外可同时实现探测和放大信号功能，大大简化探测系统复杂度。