1.一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其特征在于，该驱动电路由四个金属氧化物半导体场效应管MOSFET和隔离式变压器构成；其中，第一MOSFET(Q1)和第二MOSFET(Q2)构成一个半桥，半桥中点连接至变压器的原边(P1)的同名端，并且通过桥臂中点连接至主拓扑栅极驱动器第四开关管(S4)栅极；第三MOSFET(Q3)和第四MOSFET(Q4)同样构成一个半桥，半桥中点通过端口连接至变压器的原边(P1)的非同名端，并且连接至主拓扑栅极驱动器的第二开关管(S2)栅极；主拓扑栅极驱动器的第四开关管(S4)的栅极寄生电容视为并联在第二MOSFET(Q2)的两端，主拓扑栅极驱动器的第二开关管(S2)的栅极寄生电容视为并联在第四MOSFET(Q4)的两端。
2.根据权利要求1所述的适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其特征在于所述的变压器，其第一副边(P2)、第二副边(P3)设置线圈实现浮地驱动，实现多个隔离驱动设计，当两个互补的隔离驱动时，副边设计两个线圈，其上端线圈的同名端接在主拓扑的第一开关管(S1)的栅极寄生电容，非同名端与该栅极寄生电容另一端相接浮地；副边下端线圈的非同名端接在主拓扑的第三开关管(S3)的栅极寄生电容，同名端和该栅极寄生电容另一端相接浮地。
3.根据权利要求1所述的适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其特征在于所述的四个MOSFET的栅极输入信号通过数字信号处理芯片发出信号，再经过主拓扑栅极驱动器来产生；其中，第一MOSFET(Q1)和第二MOSFET(Q2)互补导通，第三MOSFET(Q3)和第四MOSFET(Q4)互补导通。
4.根据权利要求3所述的适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其特征在于所述的第二MOSFET(Q2)波形与第四MOSFET(Q4)波形相位差为180°，第一MOSFET(Q1)波形与第三MOSFET(Q3)波形相位差为180°。
5.根据权利要求3所述的适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其特征在于所述的栅极输入信号，由于输入信号的不同，电路也工作在不同的模态，总共可分为t 0 ～t 8 八个工作模态，在这八个工作模态中，电路通过栅极寄生电容与变压器电感谐振，实现了对主拓扑栅极驱动能量回收。
6.根据权利要求1所述的适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其特征在于所述的四个MOSFET的栅极信号，通过改变四个MOSFET的栅极信号相位来实现死区时间的控制，第二MOSFET(Q2)开通时刻与第四MOSFET(Q4)关断时刻之差为第一个死区时间，第四MOSFET(Q4)开通时刻与第二MOSFET(Q2)关断时刻之差为第二个死区时间。
