1.一种桥式驱动的高侧功率管检测电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PNP晶体管、第二PNP晶体管、第三PNP晶体管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一齐纳二极管、第一二极管、第二二极管、第一NPN晶体管、第二NPN晶体管和第三NPN晶体管；其中，第一NMOS管的栅极连接到高侧功率管驱动电路；第一NMOS管的漏极连接到电源电压VS；第一NMOS管的源极连接到第三NMOS管的漏极；第三NMOS管的栅极连接到低侧功率管驱动电路；第三NMOS管的源极连接到地；第二NMOS管的源极连接到电源电压VS；第二NMOS管的栅极连接到第一NMOS管的栅极；第二NMOS管的源极连接第二PNP晶体管的发射极和第三PNP晶体管的发射极；第一PNP晶体管的发射极连接到第一NMOS管的源极，第一PNP晶体管的基极与集电极连接到第一PMOS管的源极；第二PNP晶体管的基极连接第一PNP晶体管的基极和第三PNP晶体管的基极，第二PNP晶体管的集电极连接到第二PMOS管的源极，第三PNP晶体管的集电极连接到第三PMOS管的源极；第一PMOS管的栅极连接到其漏极构成二极管连接形式；第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极连接到第一PMOS管的栅极；第三PMOS管的漏极连接到第三二极管的阳极；第三二极管的阴极连接到输出pin脚；第一PMOS管的漏极连接到第六NMOS管的漏极；第六NMOS管的栅极连接到第四PMOS管的漏极同时连接到第一齐纳二极管的阴极；第四PMOS管的栅极连接到一个由电源电压在内部产生的偏置电压；第四PMOS管的源极连接到电源电压；第一齐纳二极管的阳极连接到地；第六NMOS管的源极连接到第一NPN管的集电极；第一NPN管的基极连接到第一电阻的一端；第一NPN管的发射极连接到地；第一电阻的另一端连接到第二电阻的一端同时连接到第四NMOS管的源端与第三电阻的一端、第四电阻的一端；第四电阻的另一端连接到地；第二电阻的另一端连接到第二NPN管的基极；第二NPN管的发射极连接到地；第二NPN管的集电极连接到第四NMOS管的栅极同时连接到第二PMOS管的漏极同时连接到第一二极管的阴极；第四NMOS管的漏极连接到由电源电压降压后产生用于内部的数字电源DVDD；第三电阻的另一端连接到第三NPN管的基极；第三NPN管的发射极连接到地；第三NPN管的集电极连接到第五NMOS管的源极同时连接到第一二极管的阳极和第五PMOS管的漏极；第五PMOS管的栅极连接到由电源电压降压后产生的低压偏置；第五PMOS管的源极连接到由电源电压降压后产生用于内部的模拟电源AVDD。
