一种抗单粒子辐照的高压LDMOS器件结构

本发明属于半导体功率器件技术领域，具体地说是涉及一种抗单粒子辐照的高压LDMOS器件结构。该器件包括P型衬底、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、局部埋氧层、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、局部场氧化层、漏极N+注入、N型缓冲层、多晶硅，本发明提出的结构，在不改变固有尺寸的情况下，引入了N型缓冲层和局部埋氧层，N型缓冲层改变了器件内部电场分布，重建峰值电场的位置，局部埋氧层重建电子电流和空穴电流的路径，降低寄生双极型晶体管(BJT)的风险，提高了抗单粒子瞬态效应的能力。