紧凑型强流H超导回旋加速器

1.一种紧凑型强流H 2 + 超导回旋加速器，其特征在于，包括：强流分子束离子源，用于产生含H 2 + 分子束的混合束；紧凑型LEBT，所述紧凑型LEBT的顶端与所述强流分子束离子源的底端连通，所述紧凑型LEBT用于对所述含H 2 + 分子束的混合束进行筛选得到H 2 + 分子束，以及对所述H 2 + 分子束进行聚焦和聚束；RFQ加速器，所述RFQ加速器的顶端与所述紧凑型LEBT的底端连通，用于将所述H 2 + 分子束进行预加速和纵向聚束；超导回旋加速器，所述RFQ加速器的底端插入至所述超导回旋加速器并将H 2 + 分子束注入到回旋加速器的中心位置处，所述超导回旋加速器用于对所述H 2 + 分子束进行回旋加速，所述超导回旋加速器包括磁场装置和高频系统，所述磁场装置用于形成等时性磁场，所述高频系统用于为所述H 2 + 分子束提供加速电压，所述磁场装置包括超导磁铁铁芯、超导线圈和磁铁铁轭，所述铁芯包括上层磁铁扇块和下层磁铁扇块，所述超导线圈缠绕在所述上层磁铁扇块和下层磁铁扇块的外侧，所述上层磁铁扇块和下层磁铁扇块相对且间隔设置，所述上层磁铁扇块和下层磁铁扇块均包括四扇超导磁铁，能够提供精确的等时性磁场，所述超导磁铁并采用直边扇与螺旋扇相结合的扇块形状；所述超导回旋加速器的入口处设有静电反射镜，所述RFQ加速器的底端与所述静电反射镜的入口连通，并通过所述静电反射镜将束流水平注入到回旋加速器的入口处；剥离膜，所述剥离膜设置在粒子达到引出能量的位置处，用于剥去H 2 + 粒子的一个电子而形成两个质子，获得双倍流强的质子束流；其中：所述RFQ加速器为CW型加速器，所述CW型RFQ加速器为预加速注入器，垂直置于紧凑型LEBT下方，并有约二分之一垂直插入所述超导回旋加速器上磁铁中心位置，后与所述超导回旋加速器的静电反射镜连接，将强流H 2 + 分子束进行预加速并兼顾纵向聚束，产生80keV的H 2 + 分子束，并将束流注入到超导回旋加速器的反射镜入口处。 2.根据权利要求1所述的紧凑型强流H 2 + 超导回旋加速器，其特征在于，所述高频系统包括4个双缝高频腔，4个所述双缝高频腔设置在所述超导回旋加速器的谷区，4个所述双缝高频腔沿着圆周方向均匀间隔布置。 3.根据权利要求1所述的紧凑型强流H 2 + 超导回旋加速器，其特征在于，还包括氦冷凝器和支架，所述氦冷凝器固定安装在所述超导回旋加速器上用于冷却所述超导回旋加速器，所述超导回旋加速器固定安装在所述支架上。 4.根据权利要求1所述的紧凑型强流H 2 + 超导回旋加速器，其特征在于，所述含H 2 + 分子束的混合束为10mA级。 5.根据权利要求1所述的紧凑型强流H 2 + 超导回旋加速器，其特征在于，所述RFQ加速器为CW型RFQ加速器。 6.根据权利要求1所述的紧凑型强流H 2 + 超导回旋加速器，其特征在于，所述超导回旋加速器的中心位置处还设有刮束器，用于对束流进行主动刮束，控制束流的发射度和包络参数。