氢气传感器及其制备方法

1.一种氢气传感器，其特征在于，包括：基片；检测电极，设于所述基片上；氢气敏感材料层，设于所述基片上，且至少部分覆盖所述检测电极，所述氢气敏感材料层中的氢气敏感材料包括铂掺杂的氧化钨；分子筛层，设于所述基片上，且完全覆盖所述氢气敏感材料层，所述分子筛层为MCM-70分子筛；所述分子筛层的厚度为10μm～15μm；所述分子筛层通过将MCM-70分子筛与印刷浆料混合后涂覆在基片上并经退火处理形成。 2.根据权利要求1所述的氢气传感器，其特征在于，所述铂掺杂的氧化钨中铂的质量分数为0.8％～1％。 3.根据权利要求1至2任一项所述的氢气传感器，其特征在于，所述氢气传感器还包括设于所述基片上的加热器。 4.根据权利要求3所述的氢气传感器，其特征在于，所述加热器设于所述基片的远离所述检测电极的表面上。 5.一种氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基片；在所述基片的表面上制备检测电极；在所述基片的表面上制备氢气敏感材料层，并使所述氢气敏感材料层至少部分覆盖所述检测电极，所述氢气敏感材料层中的氢气敏感材料包括铂掺杂的氧化钨；在所述基片的表面上制备分子筛层，并使所述分子筛层完全覆盖所述氢气敏感材料层；所述分子筛层的厚度为10μm～15μm；所述分子筛层通过将MCM-70分子筛与印刷浆料混合后涂覆在基片上并经退火处理形成。 6.根据权利要求5所述的氢气传感器的制备方法，其特征在于，在所述基片的表面上制备检测电极，包括如下步骤：将电阻浆料印刷在所述基片的表面，在800℃～950℃温度下煅烧30min～50min。 7.根据权利要求5所述的氢气传感器的制备方法，其特征在于，在所述基片的表面上制备氢气敏感材料层，包括如下步骤：将氢气敏感材料与印刷浆料以质量比8:2～6:4混合形成敏感层浆料，将所述敏感层浆料印刷在所述基片上，并使所述敏感层浆料至少部分覆盖所述检测电极，去除所述敏感层浆料中的溶剂。 8.根据权利要求5所述的氢气传感器的制备方法，其特征在于，所述铂掺杂的氧化钨的制备方法包括如下步骤：将棉模板与钨盐溶液混合，干燥，在450℃～550℃下煅烧2h～4h得到多孔氧化钨粉末，将所述多孔氧化钨粉末与铂盐溶液混合，去除溶剂。 9.根据权利要求5所述的氢气传感器的制备方法，其特征在于，在所述基片的表面上制备分子筛层，包括如下步骤：将分子筛与印刷浆料以质量比8:2～6:4混合形成分子筛浆料，将所述分子筛浆料印刷在所述基片上，并使所述分子筛浆料完全覆盖所述氢气敏感材料层，去除所述分子筛浆料中的溶剂。 10.根据权利要求5至9任一项所述的氢气传感器的制备方法，其特征在于，在所述基片的表面上制备氢气敏感材料层之前，还包括在所述基片上制备加热器的步骤。