一种差分结构的磁电复合磁敏感器件

1.一种差分结构的磁电复合磁敏感器件，其特征在于，包括：测量器件（1）、补偿器件（2）、器件支架（3）和磁屏蔽层（4）；其中，测量器件（1）、补偿器件（2）、磁屏蔽层（4）安装在器件支架（3）内；所述测量器件（1）位于待测磁体上方，且测量器件（1）的长度方向与待测磁体的磁场方向平行，用于测量待测磁体的磁场大小；所述补偿器件（2）与测量器件（1）正交放置，且测量器件（1）的底部设置所述磁屏蔽层（4），用于屏蔽待测磁体平行于补偿器件（2）长度方向的磁场，以便采集空间背景磁场大小；将测量的待测磁体的磁场大小减去采集的空间背景磁场大小得到待测磁体最终的磁场大小；所述测量器件（1）包括：测量压电体（11），测量电极（12）和测量磁致伸缩薄膜（13），其中，在测量压电体（11）的两侧向外依次设有测量电极（12）和测量磁致伸缩薄膜（13）；所述测量电极（12）与测量压电体（11）、测量磁致伸缩薄膜（13）与测量电极（12）分别机械连接；所述补偿器件（2）包括：补偿压电体（21）、补偿电极（22）和补偿磁致伸缩薄膜（23），其中，在补偿压电体（21）的两侧向外依次设有补偿电极（22）和补偿磁致伸缩薄膜（23）。 2.根据权利要求1所述的差分结构的磁电复合磁敏感器件，其特征在于，所述补偿电极（22）与补偿压电体（21）、补偿磁致伸缩薄膜（23）与补偿电极（22）分别机械连接。 3.根据权利要求1所述的差分结构的磁电复合磁敏感器件，其特征在于，所述测量压电体（11）与补偿压电体（21）的几何尺寸与材料相同，测量电极（12）与补偿电极（22）的几何尺寸与材料相同，测量磁致伸缩薄膜（13）与补偿磁致伸缩薄膜（23）的几何尺寸与材料相同。 4.根据权利要求1所述的差分结构的磁电复合磁敏感器件，其特征在于，所述器件支架（3）包括：测量器件安装槽（31）和补偿器件安装槽（32），其中测量器件安装槽（31）的深度比补偿器件安装槽（32）的深度深。 5.根据权利要求4所述的差分结构的磁电复合磁敏感器件，其特征在于，所述磁屏蔽层（4）设在补偿器件安装槽（32）的底部。 6.根据权利要求1所述的差分结构的磁电复合磁敏感器件，其特征在于，所述测量器件（1）、补偿器件（2）、磁屏蔽层（4）均与器件支架（3）机械连接。