1.一种低插损能量选择表面，其特征在于，包括：多个条形单元(1)和多个辅助单元(2)；所述条形单元(1)和所述辅助单元(2)均为条状结构，且所述辅助单元(2)和所述条形单元(1)依次交替的设置；所述条形单元(1)包括：多个条形模块(11)；所述辅助单元(2)包括：多个辅助模块(21)；所述条形模块(11)包括：第一介质基板(111)和设置在所述第一介质基板(111)一侧的第一电磁感应组件(112)；所述辅助模块(21)包括：第二介质基板(211)和设置在所述第二介质基板(211)一侧的第二电磁感应组件(212)；所述第一介质基板(111)和所述第二介质基板(211)为相同的；所述第一电磁感应组件(112)与所述第二电磁感应组件(212)相平行的设置，且所述第一电磁感应组件(112)和所述第二电磁感应组件(212)在所述低插损能量选择表面的同侧设置；所述第一电磁感应组件(112)包括：第一金属条(1121)和PIN二极管(1122)；所述第一金属条(1121)设置有两个，其相互对齐且具有间隔的设置；所述PIN二极管(1122)位于两个所述第一金属条(1121)之间，且其两端分别与所述第一金属条(1121)的端部相连接；所述第一介质基板(111)呈方形板体；所述第一金属条(1121)呈矩形条状，其长度方向的对称轴与所述第一介质基板(111)的一个对称轴相对齐的设置；所述第一金属条(1121)远离所述PIN二极管(1122)的一端与所述第一介质基板(111)的侧边相齐平的设置；所述第二电磁感应组件(212)包括：第二金属条(2121)；所述第二金属条(2121)设置有两个，其相互对齐且具有间隔的设置；所述第二介质基板(211)呈方形板体；所述第二金属条(2121)为长条状对称结构，其长度方向的对称轴与所述第二介质基板(211)的一个对称轴相对齐的设置；所述第二金属条(2121)包括：相互垂直的第一矩形部分(2121a)和第二矩形部分(2121b)；所述第二矩形部分(2121b)与所述第一矩形部分(2121a)的一端相互连接；所述第一矩形部分(2121a)远离所述第二矩形部分(2121b)的一端与所述第二介质基板(211)的侧边相对齐的设置。
2.根据权利要求1所述的低插损能量选择表面，其特征在于，所述第一金属条(1121)的长度l 1 满足：l 1 ＝(p-d 1 )/2其中，p表示所述第一介质基板(111)的边长，d 1 表示两个所述第一金属条(1121)之间的间隔距离。
3.根据权利要求2所述的低插损能量选择表面，其特征在于，所述第一介质基板(111)的边长p为：4mm≤p≤6mm；两个所述第一金属条(1121)之间的间隔距离d 1 为：0.6mm≤d 1 ≤1.2mm；所述第一金属条(1121)的宽度w 1 为：0.8mm≤w 1 ≤2.5mm。
4.根据权利要求3所述的低插损能量选择表面，其特征在于，所述第一矩形部分(2121a)、所述第二矩形部分(2121b)和所述第二介质基板(211)之间满足：2*l 2 +2*w 3 ＜p其中，p表示所述第二介质基板(211)的边长，l 2 表示所述第一矩形部分(2121a)的长度，w 3 表示所述第二矩形部分(2121b)的宽度；所述第一矩形部分(2121a)的长度l 2 为：1.5mm≤l 2 ≤2.5mm，其宽度w 2 为0.1≤w 2 ≤2mm；所述第二矩形部分(2121b)的长度l 3 为：0.5mm≤l 3 ≤2.5mm，其宽度w 3 为0.1≤w 3 ≤0.8mm。
5.根据权利要求4所述的低插损能量选择表面，其特征在于，所述低插损能量选择表面的工作波段为UHF波段和L波段。
