1.一种非易失存储单元，其特征在于，所述存储单元包括非易失性存储器、第一反相器、第二反相器、第一开关元件和第二开关元件；所述第一反相器包括第一存储节点，所述第二反相器包括第二存储节点；所述第一开关元件连接在所述第一存储节点和位线之间，控制端连接第一字线；所述第二开关元件连接在所述非易失性存储器的第一电极与反位线之间，控制端连接第二字线；所述第一反相器的输入端连接所述非易失性存储器的第一电极，所述第一反相器的电源端连接第一电源；所述第二反相器的输入端连接所述第一存储节点，所述第二存储节点连接所述非易失性存储器的第二电极，所述第二反相器的电源端连接第二电源。
2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述非易失性存储器为阻变型存储器。
3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一开关元件为第一选通管，所述第一选通管的漏极连接所述位线，源极连接所述第一反相器的输出端，栅极连接所述第一字线。
4.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第二开关元件为第二选通管，所述第二选通管的漏极连接所述反位线，源极连接所述阻变型存储器的第一电极，栅极连接所述第二字线。
5.如权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述第一反相器的输入端连接在所述阻变型存储器的第一电极和所述第二选通管的源极之间。
6.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管；所述第一上拉晶体管的源极连接所述第一电源；所述第一下拉晶体管的漏极接地，栅极连接所述第一上拉晶体管的栅极；所述第一上拉晶体管的漏极和所述第一下拉晶体管的源极耦接至所述第一存储节点。
7.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；所述第二上拉晶体管的源极连接所述第二电源；所述第二下拉晶体管的漏极接地，栅极连接所述第二上拉晶体管的栅极；所述第二上拉晶体管的漏极和所述第二下拉晶体管的源极耦接至所述第二存储节点。
8.一种控制方法，其特征在于，所述方法用于控制权利要求1-7任一所述的存储单元，所述方法包括：在进行读操作或写操作时，若所述第一存储节点为高电位，则控制所述第一字线和所述位线为高电位，所述第二字线和所述反位线为低电位，所述第一电源和所述第二电源处于高电位；在进行写操作时，若所述第一存储节点为低电位，则控制所述第一字线为高电位，所述位线、所述反位线和所述第二字线为低电位，所述第一电源和所述第二电源处于高电位；在进行读操作时，若所述第一存储节点为低电位，则控制所述第一字线和所述位线为高电位，所述反位线和所述第二字线为低电位，所述第一电源和所述第二电源处于高电位。
9.一种非易失存储器，其特征在于，包括权利要求1-7任一所述的存储单元。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的非易失存储器。
