1.一种三包层光纤合束器包层光功率分布的测量方法，其特征在于，步骤如下：步骤一、利用第一包层光标定光路获取基准光斑直径D 1 ：所述第一包层光标定光路包括沿光路设置的可调直流电源(1)、半导体激光器(2)、剥除器标定光纤(4)、功率衰减器(6)和近红外相机(7)；可调直流电源(1)控制半导体激光器(2)激光输出，半导体激光器(2)的输出激光通过第一熔接点(3)进入剥除器标定光纤(4)，而后通过剥除器标定光纤(4)出射，经由功率衰减器(6)衰减输出激光功率后，由近红外相机(7)捕获剥除器标定光纤(4)的输出激光光斑直径D 1 ；步骤二、利用第二包层光剥除光路剥除三包层光纤第二包层光：使用三包层光纤合束器(9)和三包层传能光纤(10)替换第一包层光标定光路中的剥除器标定光纤(4)，得到第二包层光剥除光路；可调直流电源(1)控制半导体激光器(2)激光输出，输出激光依次通过三包层光纤合束器(9)、三包层传能光纤(10)和功率衰减器(6)后，由近红外相机(7)捕获输出激光光斑直径D 2 ；使用化学腐蚀法对三包层传能光纤(10)进行处理，直到近红外相机(7)采集到的光斑直径D 2 与使用剥除器标定光纤(4)时采集到的光斑直径D 1 相等，三包层光纤的第二包层光被剥除，此时三包层传能光纤(10)作为三包层光纤第二包层光剥除器(16)；步骤三、利用包层光功率测量光路获取三包层光纤合束器第一包层内传输的包层光功率P 1 ：使用透镜组(11)和光功率计(14)替换第二包层光修剥除光路中的功率衰减器(6)和近红外相机(7)，得到包层光功率测量光路；可调直流电源(1)控制半导体激光器(2)激光输出，输出激光通过三包层光纤合束器(9)、光纤第二包层光剥除器(16)后，由透镜组(11)准直聚焦至光功率计(14)靶面，利用光功率计(14)测得三包层光纤合束器第一包层内传输的包层光功率P 1 ；步骤四、计算三包层光纤合束器的包层光的功率分布：根据半导体激光器(2)输出激光的功率P与三包层光纤合束器第一包层内传输的包层光功率P 1 ，计算三包层光纤合束器的第二包层内传输的包层光功率P 2 ：P 2 ＝P-P 1根据P 1 和P 2 计算三包层光纤合束器的包层光的功率分布η：η＝P 1 /P 2 。
2.根据权利要求1所述的三包层光纤合束器包层光功率分布的测量方法，其特征在于，三包层传能光纤(10)的参数与三包层光纤合束器(9)的输出光纤参数相同。
3.根据权利要求2所述的三包层光纤合束器包层光功率分布的测量方法，其特征在于，还包括光纤夹具(5)，将光纤夹具(5)设置在三维调整台上，以实现光路中的光轴同时通过各光学元件的中心。
4.根据权利要求3所述的三包层光纤合束器包层光功率分布的测量方法，其特征在于，步骤一中，将半导体激光器(2)输出纤与剥除器标定光纤(4)通过第一熔接点(3)相连接；将剥除器标定光纤(4)输出端切割0°角处理置于光纤夹具(5)上，调整光纤夹具(5)姿态使得光轴同时通过各光学元件的中心。
5.根据权利要求4所述的三包层光纤合束器包层光功率分布的测量方法，其特征在于，步骤二中，半导体激光器(2)输出纤与三包层光纤合束器(9)尾纤通过第二熔接点(8)相连接；三包层光纤合束器(9)的输出光纤与三包层传能光纤(10)通过第三熔接点(15)相连接；三包层传能光纤(10)输出端切割0°角处理置于光纤夹具(5)上，保持三包层传能光纤(10)的输出端到近红外相机(7)的距离与剥除器标定光纤(4)输出端到近红外相机(7)的距离相等，调整光纤夹具(5)姿态使得光轴同时通过各光学元件的中心。
6.根据权利要求1所述的三包层光纤合束器包层光功率分布的测量方法，其特征在于，剥除器标定光纤(4)为单包层无芯光纤，与三包层光纤合束器(9)输出光纤的第一包层数值孔径、包层直径相同。
7.根据权利要求5所述的三包层光纤合束器包层光功率分布的测量方法，其特征在于：步骤三中，调节透镜组(11)包括第一透镜(12)、第二透镜(13)，第一透镜(12)与第二透镜(13)均为凸透镜，第一透镜(12)将从光纤发出的发散光准直为平行光，第二透镜(13)将平行光汇聚到光功率计(14)的靶面。
