双超导环和隧道磁阻效应复合磁传感器及其制备方法

本申请涉及一种双超导环和隧道磁阻效应复合磁传感器及其制备方法。双超导环和隧道磁阻效应复合磁传感器包括：双超导环、超导窄区和隧道磁阻效应磁电阻传感器组件；双超导环基于两个结构相同的超导环构成，且每个超导环相同位置设有单个超导窄区；超导环在每个超导窄区的一侧对应放置有两个隧道磁阻效应磁电阻传感器组件；其中，双超导环和布置的隧道磁阻效应磁电阻传感器组件的尺寸相同且对称分布。采用本结构能够通过双超导环的超导窄区形成局域放大的磁场，在双超导环之间区域耦合叠加，形成磁场的次级增强，增加探测磁场的精度，同时通过对称结构设计可以消除超导环和磁传感器中不同因素引起的失配，提高了弱磁传感器的探测灵敏度。