1.基于分子动力学模拟测试硅基太阳电池表面粗糙度的方法，其特征在于，所述的方法包含以下步骤：步骤1：利用Materials Studio软件建立出SiH 3 基团分子及晶体硅基底模型；通过Lammps软件中的msi2lmp程序，将建立的SiH 3 基团分子及晶体硅基底模型的坐标文件转换为Lammps软件可识别的数据文件；构建模拟盒子，模拟盒子中的晶体硅原子个数为416个，晶体硅基底选用结构最稳定的面；模拟盒子的真空层为沉积分子的空间区域；步骤2：晶体硅基底上是几纳米的真空层，SiH 3 基团分子作为沉积物质，从真空层的顶部突现插入然后沉积；Lammps软件中首先设定晶体硅基底的模拟体系，进而设定模拟初始参数并使用三维模拟模式，计量单位选择metal格式，设置模拟空间三个方向边界均为周期边界，设定原子类型为full格式，原子之间的键类型为harmonic格式，设定硅原子和氢原子的质量；设定模拟体系的初始坐标和初始速度并选定模拟时间步长；步骤3：选择原子间相互作用势，使用混合势函数即多体势tersoff势函数和两体势LJ势函数来描述硅原子与硅原子、硅原子与氢原子的相互作用，即Lammps软件中的pair_style类型设定为hybrid tersofflj/cut 10；步骤4：Lammps软件中选择fix deposit命令，每隔10000步在模拟盒子的真空层插入一个SiH 3 基团分子，一共插入600个SiH 3 基团分子；基于Lammps软件中的thermo_modify命令，在模拟盒子真空层顶端设置一个删除区域，将脱离晶体硅基底的分子删除，以保证其不会影响后续SiH 3 基团分子的沉积；步骤5：将晶体硅基底的模拟体系自上而下分为自由区、恒温区、固定区三部分，边界施加约束条件对固定区使用命令region命令进行固定，自由区则使原子完全在牛顿力学规律下自由运动，对晶体硅基底和沉积分子用group命令进行分组，用于沉积过程辨认；步骤6：晶体硅基底施加随机初速度，进行能量最小化计算，确定晶体硅基底的能量最优结构也即能量最稳定的机构；步骤7：对晶体硅基底整体采用NVT系综进行驰豫，驰豫中的控温方法采用Nose-Hoover方法，将温度控制在475K；步骤8：基于以上步骤4、5、6、7获取模拟体系的最终数据，将含有原子坐标信息的输出文件导入到Ovito可视化软件中，基于Ovito可视化软件获取不同时刻薄膜沉积的快照及最终薄膜生长的形貌图；步骤9：基于步骤8的形貌图，在Ovito可视化软件中获取生长分子原子的个数及原子坐标参数；利用粗糙度RMS公式， 统计氢化非晶硅薄膜生长后表面的原子个数即SiH 3 沉积下来以后生成氢化非晶硅薄膜的原子个数及生长原子平均高度值与生长原子的z轴值即SiH 3 沉积下来以后生成氢化非晶硅薄膜的原子个数，从而计算出氢化非晶硅薄膜表面的粗糙度大小；n表示基底上沉积原子数，z i 表示第i个原子的z坐标， 表示所有沉积原子z坐标的平均值。
