1.一种用于传感器的抗电磁干扰接口电路，其特征在于，包括：信号采集电路，用于采集传感器电容Csen的电荷变化信号并发送至运算放大电路；运算放大电路，包括运算放大器OA1、运算放大器OA2和运算放大器OA3；其中，所述运算放大器OA1、运算放大器OA2的正、反输入分别通过一个具备辅助偏置差分管结构的输入电路结构与所述信号采集电路的输出连接，用于接收采集传感器电容Csen的电荷变化信号；所述运算放大器OA1、运算放大器OA2的信号输出端分别连接所述运算放大器OA3的正、反信号输入端；所述信号采集电路包括参考电容组以及开关；所述参考电容组包括参考电容Cref1和参考电容Cref2；所述传感器电容Csen的顶板通过开关S3、开关S5与电源电压VDD相连，通过开关S4、开关S6与模拟地电位GND相连；所述传感器电容Csen的底板分别与参考电容Cref1和参考电容Cref2的底板相连，以及同时分别连接运算放大器OA1输入电路结构的反相输入端、运算放大器OA2输入电路结构的反相输入端；所述参考电容Cref1的顶板通过开关S1与电源电压VDD相连，通过开关S2与模拟地电位GND相连；参考电容Cref1的底板与传感器电容Csen的底板相连，同时连接运算放大器OA1输入电路结构的反相输入端；所述参考电容Cref2的顶板通过开关S7与电源电压VDD相连，通过开关S8与模拟地电位GND相连；参考电容Cref2的底板与传感器电容Csen的底板相连，同时连接运算放大器OA2输入电路结构的反相输入端；所述信号采集电路还包括反馈电容组，所述反馈电容组包括反馈电容Cf1和反馈电容Cf2；所述反馈电容Cf1的顶板与运算放大器OA1输入电路结构的反相输入端相连，同时与开关S9的一端相连；反馈电容Cf1的底板与运算放大器OA1的输出端相连，同时与开关S9的另一端相连；所述反馈电容Cf2的顶板与运算放大器OA2输入电路结构的反相输入端相连，同时与开关S10的一端相连；反馈电容Cf2的底板与运算放大器OA2的输出端相连，同时与开关S10的另一端相连；所述运算放大器OA1的正相输入端、运算放大器OA2的正相输入端分别通过各自对应的输入电路结构与电位Vref相连；所述运算放大器OA1的反相输入端、运算放大器OA2的反相输入端分别通过各自对应的输入电路结构与传感器电容、参考电容组的底板相连；所述具备辅助偏置差分管结构的输入电路结构包括晶体管M1~晶体管M6；所述晶体管M1、晶体管M3的栅极用于共同连接电位Vref；所述晶体管M2、晶体管M4的栅极用于共同连接信号采集电路的输出；所述晶体管M1、晶体管M2的源级与晶体管M5的漏级相连，晶体管M1、晶体管M2的漏级分别接入相同电流值I；所述晶体管M3、晶体管M4的源级与晶体管M6的漏级相连，并与晶体管M1、晶体管M2的体电位相连；所述晶体管M5、晶体管M6的栅极相连并接入同一偏置电压Vb，晶体管M5、晶体管M6的源级与地电位相连，晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6的体电位与地电位相连。
2.根据权利要求1所述的用于传感器的抗电磁干扰接口电路，其特征在于，所述参考电容Cref1和参考电容Cref2均由多个电容并联组成，能够通过开关控制接入电路的大小。
3.根据权利要求1所述的用于传感器的抗电磁干扰接口电路，其特征在于，所述反馈电容Cf1和反馈电容Cf2均由多个电容并联组成，能够通过开关控制接入电路的大小。
4.一种权利要求1所述抗电磁干扰接口电路的工作方法，其特征在于，包括如下步骤：当开关S1、开关S4、开关S5、开关S8、开关S9、开关S10闭合时，开关S2、开关S3、开关S6、开关S7断开，运算放大器OA1 采样CLK1时刻传感器电容CSen与参考电容Cref1的电荷差值，运算放大器OA2 采样CLK2时刻传感器电容CSen与参考电容Cref2的电荷差值；当开关S1、开关S4、开关S5、开关S8、开关S9、开关S10打开时，开关S2、开关S3、开关S6、开关S7闭合，CLK1时刻传感器电容CSen与参考电容Cref1的电荷差值被转移到反馈电容Cf1上，CLK2时刻传感器电容CSen与参考电容Cref2的电荷差值被转移到反馈电容Cf2上，通过运算放大器OA1、运算放大器OA2转换为电压值，并通过运算放大器OA3完成求和，运算放大器OA3的输出作为电路的最终输出。
5.一种传感器，其特征在于，所述传感器包括接口电路，所述接口电路为权利要求1~3任一项所述的抗电磁干扰接口电路。
