1.一种基于复配树脂的半导电屏蔽料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将55份~65份复配树脂混炼，然后加入20份~30份导电填料继续混炼、切粒，得到切粒料；将所述切粒料与0.9份~2份交联剂混合，得到预成品；对所述预成品进行加热处理；其中，所述复配树脂由低密度聚乙烯树脂和乙烯-丙烯酸树脂复配而成；所述乙烯-丙烯酸树脂为乙烯-丙烯酸乙酯树脂和乙烯-丙烯酸丁酯树脂中的至少一种；所述低密度聚乙烯树脂和所述乙烯-丙烯酸树脂的质量比为1:4~1:1。
2.根据权利要求1所述的基于复配树脂的半导电屏蔽料的制备方法，其特征在于，所述低密度聚乙烯树脂的熔融指数为0.25g/10min~2g/10min；和/或，所述低密度聚乙烯树脂的密度为0.918g/cm 3 ~0.932g/cm 3 。
3.根据权利要求1所述的基于复配树脂的半导电屏蔽料的制备方法，其特征在于，所述乙烯-丙烯酸树脂在190℃和2.16kg下的熔融指数≤10g/min；和/或，所述乙烯-丙烯酸树脂的断裂伸长率≥700%。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基于复配树脂的半导电屏蔽料的制备方法，其特征在于，其制备原料还包括分散剂；所述分散剂的质量份数为0.5份~2份；和/或，其制备原料还包括加工助剂；所述加工助剂的质量份数为2份~6份。
5.根据权利要求4所述的基于复配树脂的半导电屏蔽料的制备方法，其特征在于，所述加工助剂由包括如下质量份数的组分制成：偶联剂1份～2份、润滑剂1份～3份以及抗氧剂0.6份～1份。
6.根据权利要求1所述的基于复配树脂的半导电屏蔽料的制备方法，其特征在于，所述混炼的转速为80rpm~150rpm，所述混炼的温度为150℃~180℃。
7.根据权利要求1所述的基于复配树脂的半导电屏蔽料的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为50℃~70℃。
8.一种基于复配树脂的半导电屏蔽料，其特征在于，根据权利要求1~7任一项所述的制备方法制备得到。
9.一种半导电屏蔽制品，其特征在于，其制备原料包括权利要求8所述的半导电屏蔽料或者权利要求1~7中任一项所述的制备方法制备的半导电屏蔽料。
