一种光栅的调整方法及系统

1.一种光栅的调整方法，其特征在于，包括：在曝光显影之后，获取光栅的占宽比；若所述光栅的占宽比不满足制作要求，则对光刻胶掩膜进行微观调整，直到所述光栅的占宽比满足制作要求；其中，所述对光刻胶掩膜进行微观调整包括：通过挡板对刻蚀所述光刻胶掩膜的离子束的形状进行控制，以获得变占宽比的光栅；其中，所述挡板具有镂空结构，并且所述镂空结构在所述光刻胶掩膜的移动方向的宽度不同；所述对光刻胶掩膜进行微观调整包括：分多次对所述光刻胶掩膜进行微观调整，逐步逼近目标占宽比。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取光刻胶掩膜的光栅的占宽比包括：获取所述光刻胶掩膜的三维表面图；基于所述光刻胶掩膜的三维表面图获得所述光栅的占宽比。 3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对光刻胶掩膜进行微观调整，直到所述光栅的占宽比满足制作要求包括：每次对所述光刻胶掩膜进行微观调整之后，重新获取所述光栅的占宽比；若所述光栅的占宽比与目标占宽比的差值的绝对值大于预设值，则继续对所述光刻胶掩膜进行微观调整。 4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述继续对所述光刻胶掩膜进行微观调整包括：调整等离子灰化机的参数，以减少本次对所述光刻胶掩膜的调整量。 5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在对所述光刻胶掩膜微观调整完成之后，对所述光刻胶掩膜的基底进行刻蚀以将所述光栅掩膜的形状转移到所述基底上。 6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述微观调整为纳米级的微观调整。 7.一种光栅的调整系统，其特征在于，包括：获取模块，用于在曝光显影之后，获取光栅的占宽比；调整模块，用于在所述光栅的占宽比不满足制作要求之后，对光刻胶掩膜进行微观调整，直到所述光栅的占宽比满足制作要求；其中，所述调整模块具体用于通过挡板对刻蚀所述光刻胶掩膜的离子束的形状进行控制，以获得变占宽比的光栅；其中，所述挡板具有镂空结构，并且所述镂空结构在所述光刻胶掩膜的移动方向的宽度不同；所述调整模块具体用于分多次对所述光刻胶掩膜进行微观调整，逐步逼近目标占宽比。 8.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6任一项所述方法的步骤。 9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6任一项所述方法的步骤。