1.一种频率补偿电路，应用于稳压电路，所述稳压电路的第一输入端用于输入参考信号，其特征在于，包括：第一电流镜，所述第一电流镜的输入端连接于所述稳压电路的第一输出端，所述第一电流镜的第一输出端连接于负载；第二电流镜，所述第二电流镜包括第一晶体管Q1A和第二晶体管Q1B，所述第一晶体管Q1A的第一极连接于所述第一电流镜的第二输出端，并连接于所述稳压电路的第二输入端，所述第二晶体管Q1B的第一极和第二极短接，并连接于所述第一电流镜的第三输出端，所述第一晶体管Q1A和第二晶体管Q1B的第三极均接电源地；以及补偿电阻R1和补偿电容C1，所述补偿电阻R1连接于所述第一晶体管Q1A的第二极和第二晶体管Q1B的第二极之间，所述补偿电容C1的第一端连接于所述第一晶体管Q1A的第二极，第二端连接于电源地。
2.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，所述补偿电阻R1和补偿电容C1在所述稳压电路中引入一个零点Z1，以至少部分消除所述稳压电路的第二极点P2导致的相位下降。
3.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，所述补偿电容为片上集成电容。
4.根据权利要求3所述的频率补偿电路，其特征在于，所述补偿电容为多晶硅电容、场效应晶体管MOS电容或金属多晶硅电容。
5.根据权利要求2所述的频率补偿电路，其特征在于，所述补偿电容的容值由所述稳压电路的第二极点确定。
6.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，所述补偿电阻为片上集成电阻。
7.根据权利要求6所述的频率补偿电路，其特征在于，所述补偿电阻为多晶硅电阻或扩散电阻。
8.根据权利要求2所述的频率补偿电路，其特征在于，所述补偿电阻的阻值由所述稳压电路的第二极点确定。
9.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，所述第一电流镜包括：第五晶体管Q2A，所述第五晶体管Q2A的第一极和第二极短接，并连接于所述稳压电路的第一输出端，第三极连接于电源地；第六晶体管Q2B，所述第六晶体管Q2B的第一极为所述第一电流镜的第一输出端，第二极连接于所述第五晶体管Q2A的第二极，第三极连接于电源地；第七晶体管Q2C，所述第七晶体管Q2C的第一极为所述第一电流镜的第二输出端，第二极连接于所述第五晶体管Q2A的第二极，第三极连接于电源地；第八晶体管Q2D，所述第八晶体管Q2D的第一极为所述第一电流镜的第三输出端，第二极连接于所述第五晶体管Q2A的第二极，第三极连接于电源地。
10.根据权利要求9所述的频率补偿电路，其特征在于，所述第二电流镜还包括：第三晶体管Q1C和第四晶体管Q1D，所述第三晶体管Q1C与所述第一晶体管Q1A串联连接，所述第四晶体管Q1D与所述第二晶体管Q1B串联连接；所述第三晶体管Q1C的第一极连接于所述第一电流镜的第二输出端，所述第三晶体管Q1C的第三极连接于所述第一晶体管Q1A的第一极，所述第三晶体管Q1C的第二极连接于所述第四晶体管Q1D的第二极，所述第四晶体管Q1D的第一极连接于所述第一电流镜的第三输出端，并连接于所述第二晶体管Q1B的第二极，所述第四晶体管Q1D的第三极连接于所述第二晶体管Q1B的第一极。
11.根据权利要求10所述的频率补偿电路，其特征在于，所述稳压电路包括串联连接的第一放大电路和跨导放大电路，所述跨导放大电路将所述第一放大电路的输出电压信号转换为电流信号，以为所述第一电流镜提供输入信号。
12.根据权利要求11所述的频率补偿电路，其特征在于，所述跨导放大电路包括第九晶体管Q9，所述第九晶体管Q9的第一极连接于所述第一电流镜的输入端，第二极连接于所述第一放大电路的输出端，第三极接电源地。
13.根据权利要求12所述的频率补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管Q1A、第二晶体管Q1B、第三晶体管Q1C、第四晶体管Q1D、第五晶体管Q2A、第六晶体管Q2B、第七晶体管Q2C、第八晶体管Q2D和第九晶体管Q9为场效应晶体管，其第一极为漏极，第二极为栅极，第三极为源极。
14.根据权利要求11所述的频率补偿电路，其特征在于，还包括：第二放大电路，所述第二放大电路的第一输入端连接于所述稳压电路的第二输入端，所述第二放大电路的第二输入端和输出端均连接于所述第一电流镜的第三输出端，以形成跟随器结构。
15.根据权利要求14所述的频率补偿电路，其特征在于，所述第一放大电路和第二放大电路均为差分放大电路。
16.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，还包括：并联连接的负载电阻Rout和负载电容Cout，所述负载电阻Rout和负载电容Cout的第一端均连接于所述频率补偿电路的输出端，所述负载电阻Rout和负载电容Cout的第二端均接电源地。
17.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，还包括：反馈电阻Rx，所述反馈电阻Rx连接在所述第一电流镜的第一输出端和所述第一电流镜的第二输出端之间。
18.一种电路的工作方法，其特征在于，所述方法应用于如权利要求12-17中任一项所述的频率补偿电路，所述方法包括：调整所述补偿电阻R1和补偿电容C1的取值，使得由所述补偿电阻R1和补偿电容C1在频率f z1 =1/（2πR1C1）处引入的零点Z1位于稳压电路的第二极点P2附近，以抵消所述第二极点P2导致的稳压电路的相移，增加稳压电路的相位裕度；其中，所述第二极点P2由第一电流镜的器件参数和第九晶体管Q9的器件参数确定。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，当所述方法应用于如权利要求12或13所述的频率补偿电路时，所述第二极点P2由所述第六晶体管Q2B的第二极寄生电容C2B、所述第五晶体管Q2A的导通电阻ro2A、所述第五晶体管Q2A的跨导gm2A和所述第九晶体管Q9的导通电阻ro9确定。
20.一种稳压电路，其特征在于：所述稳压电路包括如权利要求1-17中任一项所述的频率补偿电路。
21.一种电子装置，其特征在于，包括：如权利要求1~17中任一项所述的频率补偿电路。
22.一种电子装置，其特征在于，包括：如权利要求20所述的稳压电路。
23.一种芯片，其特征在于，包括：如权利要求1~17中任一项所述的频率补偿电路。
24.一种芯片，其特征在于，包括：如权利要求20所述的稳压电路。
