一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器及其制备方法

1.一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器，其特征在于，从下至上依次为衬底、半导体沟道层和电极层；所述半导体沟道层的材料为具有面内及面外铁电性单质碲薄膜，厚度为0.4 nm；且通过施加面内或面外电场，使得单质碲原有的极化状态实现反转，从而改变材料与电极间的肖特基势垒，使得整体电导率急速下降/上升，形成存储窗口；所述电极材料为Cr/Au。 2.如权利要求1 所述的非易失性存储器，其特征在于，所述衬底材料为硅/二氧化硅、柔性薄膜、HfO 2 薄膜或氧化铝薄膜。 3.如权利要求2 所述的非易失性存储器，其特征在于，所述柔性薄膜为PET 薄膜。 4.如权利要求1~3 任一权利要求所述的非易失性存储器，其特征在于，基于单质碲薄膜的非易失性存储器，通过面内电场或面外电场激励，实现存储写入及读出。 5.一种如权利要求1~3 任一权利要求所述的非易失性存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.在衬底表面滴加含有单质碲薄膜的溶液，旋涂、加热烘干，即可在衬底表面制备得到单质碲薄膜的半导体沟道层；步骤2.制备电极层，即可得到基于单质碲薄膜的非易失性存储器；所述电极层制备于单质碲薄膜的两侧或者上下两面，为平面二极管结构电极或垂直结构二极管结构电极。 6.如权利要求5 所述的制备方法，其特征在于，步骤1 中单质碲薄膜的溶液是通过将单质碲薄膜溶解到分散溶剂中，形成富碲分散液，其中，分散溶剂为去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇、三氯甲烷或N,N-二甲基甲酰胺，单质碲薄膜的溶液中碲薄膜的浓度3.68mg/mL ~ 0.0184 mg/mL。 7.如权利要求5 所述的制备方法，其特征在于，步骤1 中旋涂参数为：先50~100 转/秒维持5~10 秒，再300~500 转/秒维持20~30 秒；加热温度为80~100℃。