一种氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物及其制备方法与应用

本发明公开了一种氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物及其制备方法与应用。本发明氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物结构式如式Ⅰ所示，式Ⅰ中，R<Sup>1</Sup>和R<Sup>2</Sup>选自C<Sub>10</Sub>‑C<Sub>100</Sub>的直链或支链烷基中的至少一种，n为5～200。本发明式Ⅰ所示聚合物通过底物由Stille偶联反应和Aldol反应制备单体，单体进行共轭偶联的方法制备得到。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明的氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，电子迁移率最高为1.65cm<Sup>2</Sup>·V<Sup>‑1</Sup>·s<Sup>‑1</Sup>，空穴迁移率最高为0.75cm<Sup>2</Sup>·V<Sup>‑1</Sup>·s<Sup>‑1</Sup>。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。<Image he="406" wi="1000" file="DDA0003672251860000011.GIF" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" orientation="portrait" inline="yes"/> 本发明公开了一种氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物及其制备方法与应用。本发明氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物结构式如式Ⅰ所示，式Ⅰ中，R和R选自C‑C的直链或支链烷基中的至少一种，n为5～200。本发明式Ⅰ所示聚合物通过底物由Stille偶联反应和Aldol反应制备单体，单体进行共轭偶联的方法制备得到。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明的氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，电子迁移率最高为1.65cm·V·s，空穴迁移率最高为0.75cm·V·s。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。