1.带有保护性结构的抗反射微纳结构表面，其特征在于，该表面包括：基底、网栅结构和微纳结构；所述基底与微纳结构为一体化结构，网栅结构设置在所述基底上；所述网栅结构高于所述微纳结构；所述基底与微纳结构的材料为硅；所述网栅结构的材料为二氧化硅；所述网栅结构的高度为100nm~1000nm；制备所述的带有保护性结构的抗反射微纳结构表面的方法包括如下步骤：步骤一：在硅基表面热生长一层二氧化硅；步骤二：在所述二氧化硅表面匀光刻胶；步骤三：基于所述网栅结构制备阳掩膜版，利用所述掩膜版对光刻胶进行曝光；步骤四：对曝光后的光刻胶显影和后烘，得到带有图案的光刻胶薄膜；步骤五：对所述硅基进行等离子刻蚀，得到所述网栅结构；步骤六：基于所述微纳结构制备聚苯乙烯微球掩膜版；步骤七：对设有聚苯乙烯微球掩膜版的硅基进行等离子刻蚀，得到带有保护性结构的抗反射微纳结构。
2.根据权利要求1所述的带有保护性结构的抗反射微纳结构表面，其特征在于，所述网栅结构为有序排布或阵列的图形。
3.根据权利要求2所述的带有保护性结构的抗反射微纳结构表面，其特征在于，所述图形为正方形或者六边形。
4.根据权利要求1所述的带有保护性结构的抗反射微纳结构表面，其特征在于，步骤七所述等离子刻蚀所用刻蚀气体为CHF 3 与SF 6 ，气体流量比为30：10，刻蚀时间在200s~300s。
5.根据权利要求1所述的带有保护性结构的抗反射微纳结构表面，其特征在于，所述步骤三至步骤五替换成：步骤三：基于所述网栅结构制备阴掩膜版，利用所述掩膜版对光刻胶进行曝光；步骤四：对曝光后的光刻胶显影和后烘，得到带有图案的光刻胶薄膜；步骤五：在所述硅基表面镀金属铬薄膜，使用有机溶液去除硅片表面的光刻胶，得到带有铬掩模的结构；步骤六：对带有铬掩膜结构的硅基进行等离子刻蚀，得到所述网栅结构，去除金属铬薄膜。
6.根据权利要求5所述的带有保护性结构的抗反射微纳结构表面，其特征在于，步骤六所述等离子刻蚀过程中射频功率设定为300W，所述等离子刻蚀所用刻蚀气体为CHF 3 ，气体流量为20sccm，刻蚀时间为300s-400s。
7.根据权利要求5所述的带有保护性结构的抗反射微纳结构表面，其特征在于，所述步骤五中，金属铬薄膜的厚度为100~200nm。
