1.一种功率半导体器件的驱动保护电路，其特征在于，包括开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元；所述开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元相互并联，均连接有功率半导体器件，且均设置在功率半导体的门极与阴极之间；所述动态保护单元还与功率半导体器件的阳极连接；所述静态保护单元为多个开关元件并联电路或多个开关元件串并联电路或多个开关元件与单向通流元件串并联电路，所述动态保护单元为开关元件与电压互感装置串联电路或开关元件与电压互感装置、储能电容、单向通流元件串并联电路；所述多个开关元件与单向流通元件串并联电路包括并联的第一支路和第二支路，所述第一支路包括串联的第一开关元件S1和单向流通元件D1，所述第二支路包括串联的第二开关元件S2和第三开关元件S3，所述第一支路和第二支路一端均与功率半导体元器件的门极连接，另一端均与功率半导体元器件的阴极连接；所述开关元件与电压互感装置、储能电容、单向通流元件串并联电路，包括第四开关元件S4、电压互感装置VT、第三单向流通元件D3、过压保护元件T2、储能电容C1和第一串联支路，所述电压互感装置VT包括副边和原边，所述原边的两端分别与功率半导体器件的阳极和阴极连接，所述第一串联支路包括串联的副边和第二单向通流元件D2，所述第四开关元件S4一端串联有相互并联的第一串联支路、过压保护元件T2、第三单向流通元件D3和储能电容C1，且所述第四开关元件S4另一端与功率半导体器件门极连接，所述第一串联支路一端与功率半导体器件阴极连接。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的驱动保护电路，其特征在于，所述多个开关元件并联电路包括并联设置的第一支路和第二支路，所述第一支路设置有第一开关元件S1，所述第二支路设置有第二开关元件S2，所述第一支路和第二支路均分别与功率半导体器件的门极与阴极电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的驱动保护电路，其特征在于，所述多个开关元件串并联电路包括并联的第一支路和第二支路，所述第一支路设置有第一开关元件S1，且第一支路两端分别与功率半导体器件的门极与阴极连接，所述第二支路包括串联的第二开关元件S2与第三开关元件S3，且第二支路两端分别与功率半导体器件的门极与阴极电性连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种功率半导体器件的驱动保护电路，其特征在于，所述开关元件与电压互感装置串联电路包括第四开关元件S4和电压互感装置VT，所述电压互感装置VT包括副边和原边，所述第四开关元件S4一端与副边串联，另一端与功率半导体器件门极连接，所述副边一端与功率半导体器件阴极连接，所述原边的两端分别与功率半导体器件的阳极和阴极连接。
5.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的驱动保护电路，其特征在于，所述功率半导体器件包括晶闸管、门极关断晶闸管、集成门极换流晶闸管、发射极关断晶闸管、绝缘栅双极晶体管。
6.一种功率半导体器件的驱动保护电路的控制方法，用于权利要求1-5任一项所述的功率半导体器件的驱动保护电路，其特征在于，在完全失电时，静态保护单元和动态保护单元运行，开通及关断模块不运行；在上电过程中，先由静态保护单元和动态保护单元运行，上电完成时开关及关断模块投入运行，静态保护单元和动态保护单元停止运行；或当上电完成时，动态保护单元先停止运行，之后开通及关断模块投入运行，同时静态保护单元停止运行；或当完成上电时，动态保护单元先停止运行，之后开通及关断模块投入运行，最后静态保护单元停止运行；在下电之前，由开通及关断模块保证功率半导体器件门极与阴极间的电位差小于功率半导体器件门极与阴极的导通电压；在下电过程中，静态保护单元和动态保护单元运行，同时开通关断模块停止运行；或在下电过程中，静态保护单元先投入运行，同时开通及关断模块停止运行，最后动态保护单元投入运行；或在下电过程中，静态保护单元先投入运行，然后开通及关断模块停止运行，最后动态保护单元投入运行。
7.根据权利要求6所述的一种功率半导体器件的驱动保护电路的控制方法，其特征在于，在完全失电时、上电过程中和下电过程中，所述静态保护单元均用于保证功率半导体器件的门极与阴极间的电位差小于功率半导体门极与阴极的导通电压，所述动态保护单元均用于保证功率半导体器件阳极出现较大的瞬时电压时功率半导体器件的门极电位低于阴极电位。
