一种自适应死区时间控制电路

1.一种自适应死区时间控制电路，其特征在于，包括高侧电压检测模块、高侧电流检测模块、低侧电压检测模块、低侧电流检测模块和动态死区调节电路；所述高侧电压检测模块包括第一电阻、第一LDMOS和两个反相器，第一LDMOS的漏极连接功率管的母线电压，源极连接第一电阻的一端，记第一LDMOS和第一电阻的连接点为高侧电压检测的第一节点；第一电阻的另外一端与高侧功率管的漏端相连作为高侧检测电路的浮动地；第一节点连接两级反相器后作为高侧电压检测模块的输出，反相器的地端与浮动地相连，反相器的电源端与高侧检测电路的浮动源相连；所述高侧电流检测电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二LDMOS以及第一齐纳管、第二齐纳管、第三齐纳管；第二LDMOS的栅极与源极相连连接到地，漏极与第一PMOS管的漏极和栅极以及第二PMOS管的栅极相连；第一齐纳管的正端与第一PMOS管的漏极相连，第一齐纳管的负端连接第二齐纳管的正端，第二齐纳管的负端连接第三齐纳管的正端，第三齐纳管的负端与浮动源相连；第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极相连，连接到浮动源，第二PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极和栅极以及第二NMOS管的栅极相连；第一NMOS管的源极以及第二NMOS管的源极相连，连接到浮动地，第二NMOS管的漏极作为高侧电流检测模块的输出，用于检测dV/dt的大小以设置死区时间；所述低侧电压检测模块包括第三LDMOS、第二电阻以及两个反相器，第三LDMOS的源极与第二电阻的一端项链，记第三LDMOS和第二电阻的连接节点为第二节点，第三LDMOS的栅极连接驱动电路的电源，第三LDMOS的漏极连接高侧电路的浮动地；第二电阻的另一端与地相连；第二节点后连接两级反相器后作为低侧电压检测电路的输出，反向器的电源连接驱动电路的电源，反相器的地连接外部电路的地；所述低侧电流检测模块包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第四LDMOS；第四LDMOS的栅极与漏极相连连接到高侧电路的浮动地，源极与第三PMOS管的漏极和栅极以及第四PMOS管的栅极相连；第三PMOS管的源极与第四PMOS管的源极相连，连接到驱动电路的电源，第四PMOS管的漏极与第使能NMOS管的漏极和栅极以及第四NMOS管的栅极相连；第三NMOS管的源极以及第四NMOS管的源极相连，连接到地，第四NMOS管的漏极作为高侧电流检测模块的输出；所述的动态死区调节电路分为高侧和低侧，高侧与低测的结构相同，高侧动态死区调节电路包括第五PMOS管、第六PMOS管、第一反向器、第二反相器、第三反相器、第一电容以及第一与门；第五PMOS管的漏极与栅极相连做为电流输入端；第六PMOS管的栅极与第五PMOS管的栅极相连，漏极连接第一反相器的电源；第一反相器的输入端接高侧电压检测模块的输出，第一反相器的输出连接电容的一端和第二反相器的输入端；第二反相器的输出与第三反相器的输入相连；第三反相器的输出与第一与门的一个输入端相连，第一与门的另一个输入端接第一PWM输入信号，第一与门的输出端作为高侧动态死区调节电路的输出端；在高侧动态死区调节电路中第五PMOS管与第六PMOS管的源极以及第二反相器和第三方向器的电源端连接高侧浮动源VB，第一反相器、第二反相器、第三反相器的地和第一电容的另一端连接高侧浮动地VS；低侧动态死区调节电路包括第七PMOS管、第八PMOS管、第四反向器、第五反相器、第六反相器、第二电容以及第二与门；第五PMOS管的漏极与栅极相连做为电流输入端；第六PMOS管的栅极与第七PMOS管的栅极相连，漏极连接第四反相器的电源；第四反相器的输入端接低侧电压检测模块的输出，第四反相器的输出连接电容的一端和第五反相器的输入端；第五反相器的输出与第六反相器的输入相连；第六反相器的输出与第二与门的一个输入端相连，第二与门的另一个输入端接第二PWM输入信号，第二与门的输出端作为低侧动态死区调节电路的输出端；在低侧动态死区调节电路中第七PMOS管与第八PMOS管的源极以及第五反相器和第六方向器的电源端连接驱动电源VCC，第四反相器、第五反相器、第六反相器的地和第二电容的另一端连接地GND。