一步法制备单层MoS/WS双组份梯度材料的方法

本发明涉及一步法制备单层MoS<Sub>2</Sub>/WS<Sub>2</Sub>双组份梯度材料的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将硫粉用药匙在刚玉舟的一侧压实，并将盛放硫粉的刚玉舟用铝箔纸密封包裹，用细钢针在盛放硫粉的一侧扎小孔，然后将盛放硫粉的刚玉舟置于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨粉与NaCl混合物、氧化钼粉依次分开置于长刚玉舟上游，将基底置于长刚玉舟下游，然后将长刚玉舟置于多温区管式炉下游高温区；随着多温区管式炉下游高温区温度的调节及NaCl用量的调整，制备出不同尺寸的单层MoS<Sub>2</Sub>/WS<Sub>2</Sub>双组份梯度材料。本发明能够制备尺寸可控的单层MoS<Sub>2</Sub>/WS<Sub>2</Sub>双组份梯度材料，所制备的样品结晶性好、化学及热力学性能稳定，应用前景好。

聂安民