1.基于可调控结构单元的超表面光开关，由多个可调控结构单元周期性排列而成，每个所述可调控结构单元由基底层（1）、天线（2）和矩形块（3）组成；所述基底层（1）位于最下端，所述天线（2）和矩形块（3）同平面设置，且位于基底层（1）上；所述基底层（1）的形状为正方形；其特征在于，所述天线（2）的形状为具有开口的等边三角环形，所述开口位于等边三角环形一条边的中间位置，所述矩形块（3）位于所述开口处，所述正方形和等边三角环形中心重合；所述基底层（1）为CaF2材料，所述天线（2）为Si材料，所述矩形块（3）为GST相变材料。
2.根据权利要求书1所述的基于可调控结构单元的超表面光开关，其特征在于，所述基底层（1）的尺寸为3μm×3μm×0.5μm；所述天线（2）的高度为D1=0.5μm，所述等边三角环形的外环边长为L1=1.7370～2.0844μm，内环边长L2=0.8685μm；所述矩形块（3）的高度为D2=0.5μm，长为H=2.7μm，宽为W=0.3～0.5μm。
3.根据权利要求书2所述的基于可调控结构单元的超表面光开关，定义基底层（1）、天线（2）和矩形块（3）的以下位置关系为参考位置：所述基底层（1）所在平面为XOY平面，基底层（1）的两组对边分别平行于X轴和Y轴，所述等边三角环形的开口平行于Y轴，所述矩形块（3）长度方向平行于Y轴，其特征在于，所述天线（2）和矩形块（3）共同在XOY平面内，以正方形和等边三角环形中心重合为条件，实际位置相对参考位置的夹角为θ=0°～90°。
4.根据权利要求3所述的基于可调控结构单元的超表面光开关，其特征在于，入射X方向线偏振光。
5.根据权利要求书1、2、3或4所述的基于可调控结构单元的超表面光开关，其特征在于，所述相变材料的结晶化程度为m=0～1。
