1.一种碳纳米管场效应管器件的建模方法，其特征在于，包括：建立碳纳米管场效应管器件的等效电路模型；所述等效电路模型包括多个电学元件；根据所述碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，通过量子散射仿真系统对所述碳纳米管场效应管器件进行仿真，得到电学特性；根据所述电学特性对所述等效电路模型中多个电学元件进行优化；所述根据所述碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，通过量子散射仿真系统对所述碳纳米管场效应管器件进行仿真，得到电学特性，包括：根据所述碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，利用半经典弹道输运方法获得第一电荷密度；根据所述第一电荷密度通过泊松方程得到第一电势分布；根据所述第一电势分布获得包括声子散射自能的第一延迟格林函数，以通过所述第一延迟格林函数获得第二电荷密度；所述第一延迟格林函数满足收敛性；根据所述第二电荷密度通过所述泊松方程得到第二电势分布；根据所述第二电荷密度和所述第二电势分布得到电学特性。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一电势分布获得包括声子散射自能的第一延迟格林函数，以通过所述第一延迟格林函数获得第二电荷密度，包括：根据所述第一电势分布计算得到哈密顿量和自能矩阵，以得到第二延迟格林函数；所述第二延迟格林函数不包括声子散射自能；根据所述第二延迟格林函数计算得到所述声子散射自能；根据所述声子散射自能和所述第二延迟格林函数构建第三延迟格林函数；利用所述第三延迟格林函数输出的第三电荷密度，调整所述第三延迟格林函数的参数，以得到第一延迟格林函数；通过所述第一延迟格林函数获得第二电荷密度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二电荷密度通过所述泊松方程得到第二电势分布，包括：根据所述第二电荷密度求解所述泊松方程得到第三电势分布；若利用所述第三电势分布确定所述泊松方程不具有收敛性时，则根据所述第三电势分布通过所述第一延迟格林函数获得第三电荷密度；根据所述第三电荷密度通过所述泊松方程得到第二电势分布。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电学特性包括以下参数中的至少一种：电流-电压特性曲线、能带曲线、电子密度谱、能量耗散分布。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述电学特性对所述等效电路模型中多个电学元件进行优化，包括：根据隧穿电流和/或散热量，对所述等效电路模型中多个电学元件进行优化；所述隧穿电流根据所述能带曲线确定，所述散热量根据能量耗散分布中的能量电流密度确定。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述电学特性对所述等效电路模型中多个电学元件进行优化，包括：根据所述电学特性对所述等效电路模型中多个电学元件的数量、参数和连接关系进行优化。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述物理结构参数包括：碳纳米管手性、栅极介电常数、氧化层厚度、沟道长度、源极栅极长度、掺杂密度、弹性散射系数、非弹性散射系数、声子能量、漏极电压和栅极电压。
8.一种碳纳米管场效应管器件的建模装置，其特征在于，包括：建立单元，用于建立碳纳米管场效应管器件的等效电路模型；所述等效电路模型包括多个电学元件；仿真单元，用于根据所述碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，通过量子散射仿真系统对所述碳纳米管场效应管器件进行仿真，得到电学特性；优化单元，用于根据所述电学特性对所述等效电路模型中多个电学元件进行优化；所述仿真单元用于：根据所述碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，利用半经典弹道输运方法获得第一电荷密度；根据所述第一电荷密度通过泊松方程得到第一电势分布；根据所述第一电势分布获得包括声子散射自能的第一延迟格林函数，以通过所述第一延迟格林函数获得第二电荷密度；所述第一延迟格林函数满足收敛性；根据所述第二电荷密度通过所述泊松方程得到第二电势分布；根据所述第二电荷密度和所述第二电势分布得到电学特性。
