1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室、上电极和下电极、方波电源和两个射频电源，其中，所述上电极和所述下电极沿竖直方向相对设置于所述工艺腔室中，所述下电极用于承载晶圆；两个射频电源的频率不同，用于输出射频连续信号或者射频脉冲信号，两个所述射频电源中的一者与所述下电极连接，另一者与所述下电极或者所述上电极连接，所述方波电源与所述上电极连接，用于输出可变频率的脉冲电压信号；所述脉冲电压信号的周期为第一周期，所述第一周期包括第一时段和第二时段，所述两个射频电源的频率高的一者的周期为第二周期，所述第二周期的信号输出时段与所述第一时段同步。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述脉冲电压信号具有第一频率，在所述第一时段，所述脉冲电压信号具有第二频率。
3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一时段与所述第二时段的比值大于等于10％，且小于等于90％，和/或，在所述第一时段，所述脉冲电压信号的占空比大于等于10％，且小于等于90％。
4.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二频率大于等于2KHz，且小于等于400KHz；和/或，所述第一频率大于等于1KHz，且小于等于50KHz。
5.根据权利要求2至4任意一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，两个所述射频电源均与下电极连接，均用于输出射频脉冲信号；所述射频脉冲信号频率低的一者的周期为第三周期。
6.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二周期中的信号输出时段与所述第三周期中的信号输出时段同步；或，所述第二周期中的信号输出时段相对于所述第三周期中的信号输出时段具有预设延迟时间，且所述第二周期中的信号输出时段先于所述第三周期中的信号输出时段。
7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述预设延迟时间大于等于所述第二周期中的信号输出时段的时间的一半，小于等于所述第二周期中的信号输出时段的时间。
8.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室还包括接地的导电部件，所述导电部件用于与等离子体接触。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述导电部件包括构成所述工艺腔室的腔室壁的部件、或设置于所述下电极上的聚焦环，所述聚焦环环绕在所述晶圆的外周，且与所述下电极电绝缘。
10.根据权利要求8或9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述方波电源为多个，其中一个所述方波电源与所述上电极连接，其余的所述方波电源分别与不同的所述导电部件对应连接。
11.一种脉冲信号控制方法，其特征在于，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括方波电源和两个射频电源，两个所述射频电源的一者与下电极连接，另一者与所述下电极或者上电极连接，所述方波电源与所述上电极连接；所述脉冲信号控制方法包括：控制两个所述射频电源的一者输出射频连续信号或者射频脉冲信号；同时，控制两个所述射频电源的另一者输出射频连续信号或者射频脉冲信号；同时，控制所述方波电源输出可变频率的脉冲电压信号；其中，两个所述射频电源的频率不同；其中，所述脉冲电压信号的周期为第一周期，所述第一周期包括第一时段和第二时段，所述两个射频电源的频率高的一者的周期为第二周期，所述第二周期的信号输出时段与所述第一时段同步。
12.根据权利要求11所述的脉冲信号控制方法，其特征在于，所述脉冲电压信号具有第一频率，在所述第一时段，所述脉冲电压信号具有第二频率；所述控制所述方波电源输出可变频率的脉冲电压信号包括，控制所述脉冲电压信号由所述第二频率变为所述第一频率。
