一种基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构

1.一种基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，包括：衬底(10)；碳纳米管薄膜层(20)，位于所述衬底(10)上；底电极金属层(30)，部分位于所述碳纳米管薄膜层(20)上，另一部分位于所述衬底(10)上；金属氧化物层(40)，位于所述碳纳米管薄膜层(20)上；顶电极金属层(50)，位于所述金属氧化物层(40)上；其中，所述碳纳米管薄膜层(20)和所述顶电极金属层(50)为圆环结构。 2.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，所述碳纳米管薄膜层(20)、所述底电极金属层(30)、所述金属氧化物层(40)与所述顶电极金属层(50)为同圆心的圆环结构，其中，所述底电极金属层(30)为具有开口的圆环结构。 3.根据权利要求2所述的基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，所述顶电极金属层(50)的圆环内径大于所述碳纳米管薄膜层(20)的圆环内径；所述顶电极金属层(50)的圆环外径小于底电极金属层(30)的圆环内径；所述金属氧化物层(40)的圆环内径小于所述顶电极金属层(50)的圆环内径；所述金属氧化物层(40)的圆环外径大于所述顶电极金属层(50)的圆环外径。 4.根据权利要求2所述的基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，所述碳纳米管薄膜层(20)中多根碳纳米管呈网络状或阵列式分布。 5.根据权利要求3所述的基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，所述碳纳米管薄膜层(20)的内直径为5nm～1mm，其环宽为5nm～20μm。 6.根据权利要求3所述的基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，所述底电极金属层(30)与所述碳纳米管薄膜层(20)交叠部分的宽度为 7.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，还包括：第一电极平板金属层(61)，位于所述衬底(10)或所述金属氧化物层(40)上，且一端与所述顶电极金属层(50)连接；第二电极平板金属层(62)，位于所述衬底(10)或所述金属氧化物层(40)上，且一端与所述底电极金属层(30)连接。 8.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，所述底电极金属层(30)为钯、钛、金、铂、钨、镍、铜、锌、镉或铝一种或多种；顶电极金属层(50)为钛、金、铝、铂、钨、镍、铜、锌或镉中的一种或多种。 9.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，所述金属氧化物层(40)为铝基、锆基、铪基、钆基、镓基、镧基或钽基氧化物中的一种或多种。 10.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，其特征在于，所述衬底(10)为生长预置厚度的二氧化硅层的硅衬底、石英衬底或蓝宝石衬底。