1.一种谐振型红外传感器，包括：谐振振子(1)、红外线吸收膜(2)、位于谐振振子(1)下方的衬底(3)；其中，所述谐振振子(1)设置有一个以上第一通孔(1-1)；所述红外线吸收膜(2)设置有一个以上第二通孔(2-1)；其中，所述第一通孔(1-1)和所述第二通孔(2-1)用于通过腐蚀性流体，以在衬底(3)上刻蚀空腔；所述第一通孔(1-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第一预设比值；所述第一预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述第二通孔(2-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第二预设比值；所述第二预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述衬底(3)上刻蚀的所述空腔的上表面的面积与所述谐振振子(1)的最小外接矩形圈定的区域的面积的比值为第三预设比值；所述第三预设比值大于或等于0.3但小于或等于9。
2.一种谐振型红外传感器的制备方法，包括：在衬底上制备包含第一通孔的谐振振子；在制备的谐振振子上制备用于制备红外线吸收膜的第一材料层；图形化处理第一材料层，获得包含第二通孔的红外线吸收膜；在红外线吸收膜上制备用于制备阻断掩模的第二材料层；图形化处理第二材料层，获得阻断掩模；腐蚀性流体通过第一通孔和第二通孔流向衬底以在衬底上刻蚀空腔；去除阻断掩模，获得谐振型红外传感器；其中，所述阻断掩模用于阻断除第一通孔、第二通孔外所有腐蚀性流体的通路；所述第一通孔(1-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第一预设比值；其中，所述第一预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述第二通孔(2-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第二预设比值；所述第二预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述衬底(3)上刻蚀的所述空腔的上表面的面积与所述谐振振子(1)的最小外接矩形圈定的区域的面积的比值为第三预设比值；所述第三预设比值大于或等于0.3但小于或等于9。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述去除阻断掩模，包括：通过溶解和/或等离子体轰击去除所述阻断掩模。
4.一种谐振型红外传感器的制备方法，包括：在衬底上制备包含第一通孔的谐振振子；在制备的谐振振子上制备用于制备红外线吸收膜的第一材料层；图形化处理第一材料层，获得包含第二通孔的红外线吸收膜；在红外线吸收膜上制备用于制备阻断掩模的第二材料层；图形化处理第二材料层，获得阻断掩模；在阻断掩模上制备用于制备图形化掩模的第三材料层；图形化处理第三材料层，获得图形化掩模；腐蚀性流体通过第一通孔和第二通孔流向衬底以在衬底上刻蚀空腔；利用图形化掩模刻蚀阻断掩模；去除图形化掩模，获得谐振型红外传感器；其中，所述阻断掩模用于阻断除第一通孔、第二通孔外所有腐蚀性流体的通路；所述第一通孔(1-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第一预设比值；其中，所述第一预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述第二通孔(2-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第二预设比值；所述第二预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述衬底(3)上刻蚀的所述空腔的上表面的面积与所述谐振振子(1)的最小外接矩形圈定的区域的面积的比值为第三预设比值；所述第三预设比值大于或等于0.3但小于或等于9。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述去除图形化掩模，包括：通过溶解和/或等离子体轰击去除所述图形化掩模。
6.一种谐振型红外传感器的制备装置，包括：制备谐振振子单元、第一制备红外线吸收膜单元、第二制备红外线吸收膜单元、第一制备阻断掩模单元、第二制备阻断掩模单元、刻蚀空腔单元和第一去除单元；其中，制备谐振振子单元设置为：在衬底上制备包含第一通孔的谐振振子；第一制备红外线吸收膜单元设置为：在制备的谐振振子上制备用于制备红外线吸收膜的第一材料层；第二制备红外线吸收膜单元设置为：图形化处理第一材料层，获得包含第二通孔的红外线吸收膜；第一制备阻断掩模单元设置为：在红外线吸收膜上制备用于制备阻断掩模的第二材料层；第二制备阻断掩模单元设置为：图形化处理第二材料层，获得阻断掩模；刻蚀空腔单元设置为：腐蚀性流体通过第一通孔和第二通孔流向衬底以在衬底上刻蚀空腔；第一去除单元设置为：去除阻断掩模，获得谐振型红外传感器；其中，所述阻断掩模用于阻断除第一通孔、第二通孔外所有腐蚀性流体的通路；所述第一通孔(1-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第一预设比值；其中，所述第一预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述第二通孔(2-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第二预设比值；所述第二预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述衬底(3)上刻蚀的所述空腔的上表面的面积与所述谐振振子(1)的最小外接矩形圈定的区域的面积的比值为第三预设比值；所述第三预设比值大于或等于0.3但小于或等于9。
7.一种谐振型红外传感器的制备装置，包括：制备谐振振子单元、第一制备红外线吸收膜单元、第二制备红外线吸收膜单元、第一制备阻断掩模单元、第二制备阻断掩模单元、第一制备图形化掩模单元、第二制备图形化掩模单元、刻蚀空腔单元、刻蚀掩模单元和第二去除单元；其中，制备谐振振子单元设置为：在衬底上制备包含第一通孔的谐振振子；第一制备红外线吸收膜单元设置为：在制备的谐振振子上制备用于制备红外线吸收膜的第一材料层；第二制备红外线吸收膜单元设置为：图形化处理第一材料层，获得包含第二通孔的红外线吸收膜；第一制备阻断掩模单元设置为：在红外线吸收膜上制备用于制备阻断掩模的第二材料层；第二制备阻断掩模单元设置为：图形化处理第二材料层，获得阻断掩模；第一制备图形化掩模单元设置为：在阻断掩模上制备用于制备图形化掩模的第三材料层；第二制备图形化掩模单元设置为：图形化处理第三材料层，获得图形化掩模；刻蚀空腔单元设置为：腐蚀性流体通过第一通孔和第二通孔流向衬底以在衬底上刻蚀空腔；刻蚀掩模单元设置为：利用图形化掩模刻蚀阻断掩模；第二去除单元设置为：去除图形化掩模，获得谐振型红外传感器；其中，所述阻断掩模用于阻断除第一通孔、第二通孔外所有腐蚀性流体的通路；所述第一通孔(1-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第一预设比值；其中，所述第一预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述第二通孔(2-1)的总面积与所述谐振振子(1)最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第二预设比值；所述第二预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述衬底(3)上刻蚀的所述空腔的上表面的面积与所述谐振振子(1)的最小外接矩形圈定的区域的面积的比值为第三预设比值；所述第三预设比值大于或等于0.3但小于或等于9。
