CN216698382U一种光敏芯片钝化结构-转果果

摘要

本实用新型属于硅基探测器技术领域，旨在提供一种减少干扰，合格率高，易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型光敏芯片钝化结构包括保留原有在芯片表面的氧化硅钝化膜和聚酰亚胺膜，在氧化硅钝化膜同聚酰亚胺膜之间增加一层氮化硅钝化膜，用氮化硅钝化膜包裹氧化硅钝化膜，然后在用聚酰亚胺膜各个方向包裹氮化硅钝化膜，形成完整包裹型三层钝化膜结构。本实用新型钝化结构有效减少了离子污染，消除了器件在背景光照下输出干扰信号，提高了器件合格率。

1.一种光敏芯片钝化结构，其特征在于，包括形成在芯片表面的氧化硅钝化膜(2)和形成在氧化硅钝化膜(2)上的聚酰亚胺膜(1)，氧化硅钝化膜(2)和聚酰亚胺膜(1)之间形成有一层氮化硅钝化膜(5)，氮化硅钝化膜(5)包裹氧化硅钝化膜(2)，聚酰亚胺膜(1)各个方向包裹氮化硅钝化膜(5)，形成完整包裹型三层钝化膜结构。 2.如权利要求1所述的光敏芯片钝化结构，其特征在于，所述芯片表面还形成有N型区(4)，氧化硅钝化膜(2)形成在N型区(4)表面。 3.如权利要求2所述的光敏芯片钝化结构，其特征在于，所述芯片表面还形成有P隔离区(3)，N型区(4)通过P隔离区(3)隔离。 4.如权利要求3所述的光敏芯片钝化结构，其特征在于，所述P隔离区(3)正对氮化硅钝化膜(5)下方位置。 5.如权利要求1所述的光敏芯片钝化结构，其特征在于，所述氮化硅钝化膜(5)通过等离子化学气象沉积法制备。 6.如权利要求5所述的光敏芯片钝化结构，其特征在于，所述氮化硅钝化膜(5)制备时，采用辉光放电沉积。 7.如权利要求1所述的光敏芯片钝化结构，其特征在于，所述氮化硅钝化膜(5)上用旋转匀胶机涂覆聚酰亚胺膜胶，形成聚酰亚胺膜(1)。

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