具有高吸收系数的二维材料异质结结构及其建模分析方法

1.一种具有高吸收系数的二维材料异质结结构的建模分析方法，其特征在于，所述二维材料异质结结构包括4层，自上而下依次为：单层二维材料I、单层二维材料II、单层二维材料I、单层二维材料II；二维材料I为硒化铂PtSe 2 ，二维材料II为二硫化钼MoS 2 ；所述二维材料异质结为六方晶系；所述二维材料异质结的晶格常数为 γ＝120°；所述二维材料异质结禁带宽度为0.1670eV；所述建模分析方法包括以下步骤：步骤1，使用Materials Project材料库构建MoS 2 体材料模型和PtSe 2 体材料模型；步骤2，将MoS 2 体材料模型切晶面得到单层MoS 2 模型，将PtSe 2 体材料模型切晶面得到单层PtSe 2 模型；步骤3，将步骤2得到的单层MoS 2 模型和单层PtSe 2 模型垂直堆叠2周期并添加真空层 构成MoS 2 /PtSe 2 异质结模型；步骤4，对步骤3构建的MoS 2 /PtSe 2 异质结模型进行结构优化，得到的能量最低的异质结结构；步骤5，选择步骤4得到的异质结结构作为最稳定结构，进行自洽计算和非自洽计算；步骤6，处理步骤4的非自洽计算结果，计算二维材料异质结的能带结构、态密度、电子能量损失谱、介电常数、吸收系数，并对所述二维材料异质结的性能进行分析；步骤1中，MoS 2 体材料模型的空间群为P6 3 /MMC[194]，晶格常数为 γ＝120°；PtSe 2 体材料模型的空间群为P3M1[164]，晶格常数为 γ＝120°；步骤4中，对所述MoS 2 /PtSe 2 异质结进行结构优化时，截断能选取为400-600eV，k点为6*6*1，电子收敛标准设置为1e-5数量级，离子收敛标准设置为0.05；步骤4中，结构优化后的MoS 2 /PtSe 2 异质结的晶格常数为 γ＝120°；步骤5中，自洽计算时，截断能选取为500eV，k点为8*8*1，离子位置优化最大步数设置为0；步骤6中，计算所述MoS 2 /PtSe 2 异质结的能带结构时，截断能选取为500eV，k路径设定为由G(0,0,0)，K(0,1/2,0)，M(-1/3,2/3,0)三个高对称点围成的三角形闭合路径，电子收敛标准设置为1e-5数量级，离子收敛标准设置为0.05；计算所述MoS 2 /PtSe 2 异质结的态密度时，k点为13*13*1，态密度数据点个数选取为2000，截断能不变；计算所述MoS 2 /PtSe 2 异质结的光学性质时，k点为15*15*1，总能带数量设定为80，截断能不变。