半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法

1.一种半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法，其特征在于，该方法包括：S1、根据LD泵浦源实际光谱性质，根据(1)式对实际等效吸收截面进行修正；其中，σ(λ)为Nd:YAG吸收截面情况，n 0 为Nd:YAG晶体掺杂浓度；L为晶体泵浦光有效吸收长度；f(λ)为泵浦光光谱分布，积分上下限λ min 、λ max 为Nd:YAG晶体吸收截面左右两边的极限波长值；S2、根据修正后Nd:YAG晶体的等效吸收截面，选取LD泵浦源的工作波长点，根据(2)式将工作波长点转换到对应的工作温度点；其中，T 0 为中心波长标定温度点；λ 0 为T 0 时LD泵浦源的中心波长；α为LD泵浦源的温度漂移系数；λ为工作波长点；S3、对于S2获得的工作温度点，当工作环境温度更靠近哪个温度点，温控系统的目标温度就设置为该工作温度点；其中，所述根据修正后Nd:YAG晶体的等效吸收截面，选取LD泵浦源的工作波长点具体包括：选择水平线与等效吸收截面的交点位置作为LD泵浦源的工作波长点。 2.如权利要求1所述的半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法，其特征在于，所述步骤S1中对于中心波长在790nm——830nm间，光谱半高宽度为4nm的LD泵浦源，以指数吸收模型为基础，根据(1)式对实际等效吸收截面进行修正。 3.如权利要求1所述的半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法，其特征在于，所述步骤S1中，对于单色LD泵浦源，f(λ)采用高斯分布。 4.如权利要求1-3任一项所述的半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法，其特征在于，所述步骤S2中，修正后Nd:YAG晶体的等效吸收截面的最大吸收截面在809nm处。 5.如权利要求1所述的半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法，其特征在于，工作波长点为793.21nm,795.93nm,803.73nm,813.81nm。 6.如权利要求1所述的半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法，其特征在于，水平线的上下位置决定了相邻工作点距离的最大值，该最大值随着水平线的位置变化，当该最大值取得最小值时，获得系统最优工作波长点。 7.如权利要求1所述的半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法，其特征在于，Nd:YAG晶体在各个工作波长点对泵浦光的等效吸收截面为1.30×10 -20 cm 2 ，为最大等效吸收截面的1/2；当LD泵浦源在上述选定波长点工作时，由于等效吸收截面一致，晶体对泵浦光的吸收和晶体的热透镜将完全相同，最终激光器的输出将保持一致；通过设计合适的晶体参杂浓度和晶体吸收长度，晶体对泵浦光的总吸收率得到满足，保证激光器系统的能量利用效率。 8.如权利要求1所述的半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法，其特征在于，LD泵浦源波长随温度的飘漂移系数为0.28nm/℃。 9.如权利要求5-8任一项所述的半导体泵浦Nd:YAG激光器多温度点工作温控方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：在各温度点进行电流补偿：先选定工作点，然后根据输出激光能量，调节LD泵浦源工作电流。