1.一种集成电路电磁兼容测量装置，其特征在于，包括电磁屏蔽壳体、导电芯板、第一射频接口与第二射频接口，所述电磁屏蔽壳体上设有沿竖向贯穿所述电磁屏蔽壳体的测量小室；所述测量小室的截面为长方形结构，所述导电芯板设在所述测量小室内，所述导电芯板所在平面与所述测量小室的截面平行，且所述导电芯板的长度方向与所述测量小室的长度方向平行；所述第一射频接口设在所述电磁屏蔽壳体的一侧且与所述导电芯板的一端相连，所述第二射频接口设在所述电磁屏蔽壳体的另一侧且与所述导电芯板的另一端相连；所述导电芯板、所述第一射频接口、所述第二射频接口的数量均为两个，两个所述导电芯板位于同一水平面，且间隔对称位于所述测量小室内；其中一个所述导电芯板对应的第一射频接口与另一个所述导电芯板对应的第二射频接口位于所述电磁屏蔽壳体的同一侧。
2.根据权利要求1所述集成电路电磁兼容测量装置，其特征在于，所述导电芯板在所述测量小室内处于上下居中的位置。
3.一种集成电路电磁兼容测量系统，其特征在于，包括第一PCB板、第二PCB板、权利要求1或2所述集成电路电磁兼容测量装置以及完全相同的第一待测芯片与第二待测芯片；所述第一待测芯片固定安装在所述第一PCB板上，所述第二待测芯片固定安装在所述第二PCB板上；所述第一PCB板固定设在所述测量小室顶端，且所述第一待测芯片的一侧位于其中一个所述导电芯板的正上方，所述第二PCB板固定设在所述测量小室底端，且所述第二待测芯片的另一侧位于同一个所述导电芯板的正下方。
4.一种集成电路电磁兼容测量方法，其特征在于，采用权利要求3所述集成电路电磁兼容测量系统，所述测量方法包括如下步骤：步骤1，将第一PCB板固定设在测量小室顶端，并使第一待测芯片的一侧位于其中一个导电芯板的正上方；将第二PCB板固定设在测量小室底端，并使第二待测芯片的另一侧位于同一个导电芯板的正下方；其中，第一待测芯片与第二待测芯片上朝向导电芯板的部分能够组成一个完整的待测芯片；步骤2，将信号发生器通过前向耦合器分出两路等幅同相射频信号，分别接入两个第一射频接口，并在两个第二射频接口分别接入50欧姆匹配负载；步骤3，第一PCB板、第二PCB板供电后，开启信号发生器，设置输出信号频率，并不断增大前向耦合器的输出功率，直到第一PCB板与第二PCB板中任意一个上的模块失效判断电路显示模块失效，得到对应该频点的功率；步骤4，改变信号发生器输出信号频率，重复步骤3，直到获得所有频点对应的失效功率。
