1.一种高频高Q值的声波谐振器，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底一侧表面的释放层；设置于所述释放层背离所述衬底表面的压电层；设置于所述压电层表面的多个金属电极；其中，所述释放层用于所述压电层与所述衬底之间的释放；当所述释放层释放时，在所述衬底与所述压电层之间形成刻蚀沟槽，以得到x-cut压电薄膜-40～+40度下S1振动模态的高频高Q值的声波谐振器。
2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述金属电极位于所述压电层背离所述释放层的一侧表面；和/或，所述金属电极位于所述压电层朝向所述衬底的一侧表面。
3.根据权利要求2所述的声波谐振器，其特征在于，所述金属电极形成的电场方向与所述压电层全局坐标系下的+y轴方向呈欧拉角，所述欧拉角的取值为-90～+90度；所述金属电极基于所述欧拉角生长在所述压电层表面。
4.根据权利要求3所述的声波谐振器，其特征在于，所述金属电极的材料为金，铝，钼，铂，或钛金、钛铝、铬金和铬铝组成的合金。
5.根据权利要求4所述的声波谐振器，其特征在于，所述金属电极的数量为2～400个；相邻所述金属电极之间的距离为0.1-20um；所述金属电极的厚度为5-5000nm；所述金属电极的宽度为0.1-20um；所述金属电极的长度为1-1000um。
6.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述释放层为一层或多层，每层的材料包括二氧化硅、氮化硅、铌酸锂以及硅中的任意一种；所述释放层的厚度为0.05-50um。
7.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述压电层为铌酸锂层，或钽酸锂层，或铌酸锂层、氮化铝层、掺钪氮化铝层、钽酸锂层和氧化锌层的复合层；所述压电层的厚度为10-5000nm。
8.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，还包括：温度补偿层；所述温度补偿层位于所述压电层背离所述衬底的一侧表面；和/或，所述温度补偿层位于所述压电层朝向所述衬底的一侧表面。
9.一种高频高Q值的声波谐振器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底的一侧表面形成释放层；在所述释放层背离所述衬底表面形成压电层；在所述压电层表面形成多个金属电极；其中，所述释放层用于所述压电层与所述衬底之间的释放；当所述释放层释放时，在所述衬底与所述压电层之间形成刻蚀沟槽，以得到x-cut压电薄膜-40～+40度下S1振动模态的高频高Q值的声波谐振器。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述压电层背离所述释放层表面形成多个金属电极，包括：在所述压电层背离所述释放层的一侧表面形成掩膜层；基于旋转欧拉角，在所述掩膜层上光刻得到多个预设角度下的电极窗口，并露出部分所述压电层表面；通过镀膜技术在所述电极窗口上形成金属电极；去除剩余的所述掩膜层。
